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| 供货周期 | 现货 | 规格 | 12V系列 |
|---|---|---|---|
| 货号 | 1321685 | 应用领域 | 医疗卫生,能源,电子,交通,电气 |
| 主要用途 | 控制系统,电动玩具,应急灯,电动工具,报警系统,应急照明系统,备用电力电源,UP |
圣阳蓄电池GFMD-300C 2V300AH/10HR
产品分类品牌分类
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产品简介
详细介绍
圣阳蓄电池GFMD-300C 2V300AH/10HR
圣阳蓄电池GFMD-300C 2V300AH/10HR
山东圣阳电源股份有限公司（简称圣阳股份，股票代码：002580）是。创建于1991年，2011年5月在深交所中小板上市。公司专业从事通信备用电源、电力备用电源、新能源储能电源、动力电源、新能源系统集成等系统方案的设计、开发和经营，是、国内的绿色能源制造商。
UPS整流电路分为普通桥堆整流、SCR相控整流和PFC高频功率因数校正的整流器。传统的整流器由于基频为50HZ，滤波器的体积重量较重，随着UPS技术的发展和各国对电源输入功率因数要求，采用PFC功率因数校正的UPS日益普及，PFC电路工作的基频至少20KHZ，使用的滤波器电感和滤波电容的体积重量大大减少，不必加谐波滤波器就可使输入功率因数达到0.99，PFC电路中常用IGBT作为功率器件，应用IGBT的PFC整流器是有效率高、功率容量大、绿色环保的优点。
③充电器
UPS的充电器常用的有反激式、BOOST升压式和半桥式。大电流充电器中可采用单管IGBT，用于功率控制，可以取得很高的效率和较大的充电电流。
④DC/AC逆变器
3KVA以上功率的在线式UPS几乎全部采用IGBT作为逆变部分的功率器件，常用全桥式电路和半桥电路。
IGBT损坏的原因
UPS在使用过程中，经常受到容性或感性负载的冲击、过负荷甚至负载短路等，以及UPS的误操作，可能导致IGBT损坏。IGBT在使用时的损坏原因主要有以下几种情况：
①过电流损坏;
IGBT有一定抗过电流能力，但必须注意防止过电流损坏。IGBT复合器件内有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。图5为一个IGBT的等效电路，在规定的漏极电流范围内，NPN的正偏压不足以使NPN晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN晶体管开通，进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，门极失去了控制作用，便发生了擎住效应。IGBT发生擎住效应后，漏极电流过大造成了过高的功耗，后导致器件的损坏。
②过电压损坏;
IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压过压则可能造成IGBT击穿损坏。
③桥臂共导损坏;
④过热损坏和静电损坏。
在全国各地设有26个营销服务处，配置有专职服务人员共60余人，负责对顾客进行全过程的系统服务工作。
产品型号 | 额定电压 | 10h率容量（Ah） | 长(mm) | 宽(mm) | 高(mm) | 总高 (mm) | 重量 (kg) | 短路电流(A) | 参考内阻(mΩ,25℃) | 端子类型 | |
圣阳 | GFMJ-150H | 2 | 150 | 103 | 206 | 352.5 | 385 | 15 | 1500 | 0.8 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-200H | 2 | 200 | 103 | 206 | 352.5 | 385 | 18.0 | 2000 | 0.75 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-250H | 2 | 250 | 124 | 206 | 352.5 | 385 | 22.0 | 2500 | 0.70 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-300H | 2 | 300 | 145 | 206 | 352.5 | 385 | 25.5 | 2999 | 0.60 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-350H | 2 | 350 | 124 | 206 | 471 | 503.5 | 28.0 | 3049 | 0.58 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-420H | 2 | 420 | 145 | 206 | 471 | 503.5 | 33.5 | 3658 | 0.55 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-490H | 2 | 490 | 166 | 206 | 471 | 503.5 | 37.5 | 4268 | 0.50 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-500H | 2 | 500 | 166 | 206 | 471 | 503.5 | 37.5 | 4268 | 0.50 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-600H | 2 | 600 | 145 | 206 | 646 | 678.5 | 46.5 | 4606 | 0.45 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-800H | 2 | 800 | 191 | 210 | 646 | 678.5 | 62.0 | 6141 | 0.40 | GFM-28 |
IGBT损坏的解决对策
①过电流损坏
为了避免IGBT发生擎住效应而损坏，电路设计中应保证IGBT的大工作电流应不超过IGBT的IDM值，同时注意可适当加大驱动电阻RG的办法延长关断时间，减小IGBT的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，IGBT必须加负偏压，IGBT生产厂家一般*加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15V之间，漏极电流可在5～10μs内超过额定电流的4～10倍，所以驱动IGBT必须设计负偏压。由于UPS负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在UPS设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必须的，可考虑采用IGBT厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI公司的EXB841、EXB840，三菱公司的M57959AL，57962CL，它们对IGBT的集电极电压进行检测，如果IGBT发生过电流，内部电路进行关闭驱动。这种办法有时还是不能保护IGBT，根据IR公司的资料，IR公司*的短路保护方法是：首先检测通态压降Vce，如果Vce超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8V，于是IGBT由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电路减削，经过4us连续检测通态压降Vce，如果正常，将驱动电压恢复正常，如果未恢复，将驱动关闭，使集电极电流减为零，这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT，另外根据三菱公司IGBT资料，三菱推出的F系列IGBT的均内含过流限流电路(RTCcircuit)，如图6，当发生过电流，10us内将IGBT的启动电压减为9V，配合M57160AL驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。
②过电压损坏
防止过电压损坏方法有：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感;适当增加IGBT驱动电阻Rg使开关速度减慢(但开关损耗也增加了);设计缓冲电路，对尖峰电压进行抑制。用于缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管，电容必须是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。常见电路有耗能式和回馈式缓冲电路。回馈式又有无源式和有源式两种，详细电路设计可参见所选用器件的技术手册。
③桥臂共导损坏
在UPS中，逆变桥同臂支路两个驱动必须是互锁的，而且应该设置死区时间(即共同不导通时间)。如果发生共导，IGBT会迅速损坏。在控制电路应该考虑到各种运行状况下的驱动问题控制时序问题。
④过热损坏
可通过降额使用，加大散热器，涂敷导热胶，强制风扇制冷，设置过温度保护等方法来解决过热损坏的问题。此外还要注意安装过程中的静电损坏问题，操作人员、工具必须进行防静电保护。
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