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东洋TOYO蓄电池6GFM165铅酸12V165AH

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更新时间:2020-02-18 23:57:34浏览次数:212

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产品简介

供货周期 现货 规格 见详情
货号 213156453 应用领域 医疗卫生,能源,电子,交通,电气
主要用途 控制系统,电动玩具,应急灯,电动工具,报警系统,应急照明系统,备用电力电源,UP
控制系统,电动玩具,应急灯,电动工具,报警系统,应急照明系统,备用电力电源,UPS,电力系统,电信设备,消防和安全防卫系统,铁路系统以及发电站等。
东洋TOYO蓄电池6GFM165铅酸12V165AH

详细介绍

东洋TOYO蓄电池6GFM165铅酸12V165AH

东洋TOYO蓄电池6GFM165铅酸12V165AH

 

电池的安装要求:

1、首先应检查蓄电池的包装有无损坏,然后仔细拆开包装逐只检查电池是否完好;并检查电池出厂日期。

2、由于电池组的电压较高,安装时应使用绝缘工具并带好绝缘手套,防止电击。

3、电池应安装在远离热源和可能产生火花(大于2米)的地方,安装电池的场所必须有良好的排风通风条件。如有可能电池室应安装空调器以确保电池运行的环境温度在15~25℃,使得电池有较长的使用寿命。

4、为了便于电池散热,每两只电池之间的间距应在保持20mm以上。在电池连接之前,应以铜丝刷或砂布将极柱的连接表面刷至出现金属光泽。

5、电池之间的相互连接,极性必须正确,并且要连接十分牢固。电池组连接好后,将电池组的正极、 负极分别与充电设备的正极、负极相对应连接牢固。然后在连接部位涂抹一层凡士林。

6、为使电池组具有长的使用寿命,应采用品质优良的自动限流恒压充电设备,在负载变化0~100%范围内,充电设备应达到 1%的稳压精度。

7、电池组安装时要保证电池与地之间绝缘良好。
目前,集成主要采用混合集成方式,因此,封装技术就成为电力电子集成研究的关键。
(1) MCM封装技术
     MCM是由一种由两个或者两个以上的裸芯片或者芯片尺寸封装的IC组装在一个基板上的模块,模块组成一个电子系统或子系统。MCM分三种基本类型,一种是MCM-L(采用片状多层基板的);一种是MCM-C(是采用多层陶瓷基板的);另一种是MCM-D(是采用薄膜技术的)。这三种封装形式根据封装的对象不同和封装器件的应用环境不同各有自己的优缺点,在此不再细说了。MCM封装有很多优点,例如提高PCB板的利用率、增强IC的可靠性、增强系统的EMC、优化PCB板的设计和降低投资风险等。
(2) 倒装芯片技术
      倒装芯片技术是一种将晶片直接与基板相互连接的*封装技术。在封装过程中,芯片以面朝下的方式让芯片上的结合点通过金属导体与基板的结合点相互连接的封装技术。与传统的引线键合技术相比,使用倒装芯片技术后,引脚可以放在晶粒正下方的任何地方,而不是只能排列在其四周,这样就能使得引线电感变小、串扰变弱、信号传输时间缩短,从而提高电性能;同时,由于倒装芯片技术可以将导电晶体直接覆盖在晶粒上,从而能够大幅缩小晶粒的尺寸,实现芯片尺寸封装CSP。
(3) 嵌入式封装
     首先在陶瓷框架上刻蚀出空洞。功率芯片被埋设在陶瓷框架的空洞内,之后,在其上部利用丝网漏印、光刻等技术分别涂覆介质薄膜以及金属膜并使之图形化,后,集成模块的驱动、控制、保护元件以表贴或膜式元件的形式粘附在上层。嵌入式封装结构的是可以大为缩小模块的体积,继而提高模块的功率密度。


新型的互连方式
     传统电力电子器件采用的互连工艺主要有键合与压接两种方式;其中压接方式的缺陷主要体现在对管芯、压块、底板等零件平整度要求很高,否则不仅使模块的接触热阻增大而且会损伤芯片,严重时使芯片碎裂。引线键合技术本身存在诸多技术缺陷表现在:如并联的多根铝丝电流分配不均匀、有较大的局部寄生电感、较大的高频电磁应力等,以至影响键合寿命。目前,上已提出多种技术方案,根据其互连方式大体可以划分为两类,以焊接技术为基础的互连工艺和以沉积金属膜(薄膜或厚膜)为基础的互连工艺。是以焊接技术为基础的互连工艺。普遍采用叠层型三维封装结构,即把多个裸芯片或多芯片模块沿Z轴层层叠装、互连,组成三维封装结构。层叠三维封装的优点是工艺相对简单,成本相对较低,关键是解决各层间的垂直互连问题。目前焊接互连有焊料凸点互连和金属柱互连平行板结构。焊料凸点互连技术是利用焊料凸点代替引线构成芯片电极的引出端并常与倒装芯片技术结合,以进一步缩短引线间距。焊料凸点互连的优点在于省略了芯片和基板之间的引线,起电连接作用的焊点路径短、接触面积大、寄生电感、电容小,封装密度高;金属柱互连平行板结构是在硅片的正反两面上下各有一层互相平行的陶瓷覆铜板DCB板上都预先刻蚀有相应的电路,硅片的底面直接焊接在DCB板上,而硅片正面的电极是通过直接键合的金属柱引出,与上DCB板构成电气连接,即借助金属柱完成了硅片之间及上下DCB板之间的互连。第二类以沉积金属膜为基础的互连工艺,多采用埋置型三维封装结构,即在各类基板或介质中埋置裸芯片,顶层再贴装表贴元件及芯片来实现三维封装结构。其是能大大减少焊点,缩短引线间距,进而减小寄生参数。以沉积金属膜为基础的互连工艺有薄膜覆盖技术和嵌入式封装等。

电池组的使用方法

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