单点抛锚浮标警示船只浮体 返回列表页

单点抛锚浮标警示船只浮体

浮体应（英语：Floating body effect）是在SOI技术中实现的晶体管与体势（body potential）相关的应。晶体管在缘体层上形成个电容。这个电容上聚集的电荷可能会产生负面应，例如，开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流（off-state leakages），造成高的电流消耗，以动态随机存取存储器丢失信息。它也造成历史应（英语：history effect），即晶体管与之前状态阈值电压有关的应。在模拟电路器件中，浮体应被称作扭结应（英语：Kink effect）。

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动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表个二进制比（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是个可避的要件。由于这种需要定时刷新的性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
与SRAM相比，DRAM的势在于结构简单——每个比的数据都只需个电容跟个晶体管来理，相比之下在SRAM上个比通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较的缺点。

门前左右角楼为鸣金、奏乐和瞭望，东西两侧是辕门。整个建筑飞檐画栋，雄伟壮观。其兴建于1888年(光绪十四年)。占地面积近1万平方米，"傍海修筑，高距危岩，下临地，飞甍广厦，轮奂美焉"。其平面呈长方，主体建筑分前后三栋，三进院落。