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ZL2817D型LCR数字电桥

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  • 扬州志力电气科技有限公司
  • 5000 - 5200 元
  • 2024-04-01 10:38:15
  • 扬州市
  • 扬州
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我要询价 具体成交价以合同协议为准

【简单介绍】

产地类别 国产 应用领域 能源,电子,交通,电气
ZL2817D系列LCR数字电桥是本公司新研制的低频元件测量仪器的换代产品,其中应用多项元件测量的技术,大字符LCD显示,SMD贴片工艺,操作方便,外形美观。可直接测量多达六种的元件参数组合,能满足生产线质量保证,进货检验及自动化生产的需要。

【详细说明】

ZL2817D系列LCR数字 电桥是本公司新研制的低频元件测量仪器的换代产品,其中应用多项元件测量的技术,大字符LCD显示,SMD贴片工艺,操作方便,外形美观。可直接测量多达六种的元件参数组合,能满足生产线质量保证,进货检验及自动化生产的需要。

RS-232接口可为用户提供远程控制及测试数据的统计和分析。HANDLER接口可连接元件自动分选系统。


ZL2817D系列LCR数字电桥性能特点          

简便操作与强大功能的合理结合

采用SMT表面贴装工艺提升了仪器的可靠性

大型白色背光LCD显示屏

100Hz100kHz,8个典型测试频率

0.1V0.3V1.0V三个典型测试电平

30Ω/100Ω两种可选源阻抗,便于兼容不同LCR表的测试*性

配置RS232接口和HANDLER接口


ZL2817D系列LCR数字电桥技术指标

测试参数

六种测量参数组合: C/DL/QR/QZ/θC/RL/R

基本准确度

0.1%

等效电路

串联、并联

量程方式

自动、保持

触发方式

内部、手动、外部

测试速度

快速: 16/
中速: 8/
慢速: 2/

校正功能

开路、短路、扫频清零

显示方式

直读/Δ/Δ%

显示器

5位分辨率,带背光LCD显示屏

测量信号频率

100Hz120Hz
1kHz 10kHz
20kHz40kHz
50kHz100kHz

测量信号电平

0.1Vrms0.3Vrms1.0Vrms

输出电阻

30Ω100Ω

|Z|RX

0.0001Ω99.999MΩ

C

0.001pF99999μF

L

0.001μH99999H

D

0.00019.9999

Q

0.00019999.9

Δ%

-99.99%99.99%

比较器

五档分选,三档合格,一档不合格,一个附属档

接口

RS232C(标配)HANDLER(选件)

体积

320mm×140mm×360mm

重量

2.5kg




































数字电桥就是能够测量电感,电容,电阻,阻抗的仪器,这是一个传统习惯的说法, 早的阻抗测量用的是真正的电桥方法,随着现代模拟和数字技术的发展,早已经淘汰了这种测量方法,但LCR电桥的叫法一直沿用至今。如果是使用了微处理器的LCR电桥则叫LCR 数字电桥。一般用户又称这些为:LCR测试仪、LCR电桥、LCR表、LCR Meter等等。


性能特点:

广泛的测量对象

半导体元件:电容器、电感器、磁芯、电阻器、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数测量。

其它元件:印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估。

介质材料:塑料、陶瓷和其它材料的介电常数的损耗角评估。

磁性材料:铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估。

半导体材料:半导体材料的介电常数,导电率和C-V特性。

液晶材料:液晶单元的介电子常数、弹性常数等C-V特性。

多种元件、材料特性测量能力

多参数混合显示功能

多参数同时显示可满足复杂元件各种分布参数的全面观察与评估要求,而不必反复切换测量参数。

电感L和其直流电阻DCR可以同时测量显示,显著提高电感测量效率。

揭示电感器件的多种特性

使用内部/外部直流偏置,结合各种扫描测试功能,可以地分析磁性材料、电感器件的性能。

通过偏置电流叠加测试功能,可以测量高频电感器件、通讯变压器,滤波器的小电流叠加性能。使用外部电流叠加装置,可使偏置电流达40A以分析高功率、大电流电感器件。

的陶瓷电容测量

1kHz和1MHz是陶瓷材料和电容器的主要测试频率。陶瓷电容器具有低损耗值的特征,同时其容量、损耗施加之交流信号会产生明显的变化。

仪器具有宽频测试能力并可提供良好的准确度,六位分辨率和自动电平控制(ALC)功能等,中以满足陶瓷材料和电容器可靠、准确的测试需要。

液晶单元的电容特性测量

电容-电压(C-Vac)特性是评价液晶材料性能的主要方法,常规仪器测量液晶单元的C-Vac特性遇到一个问题是大测试电压不够。

使用扩展测量选件可提供分辨率为1%及

高达20Vms的可编程测试信号电平,使它能在条件下进行液晶材料的电容特性测量。

半导体材料和元件的测量

进行MOS型半导体制造工艺评价时,需要氧化层电容和衬底杂质密度这些参数,这些可从C-Vdc特性的测量结果推导出来。

通过提供的直流源,结合各种扫描功能,可以方便地完成C-VDC特性的测量。

为了测试晶圆上的半导体器件,需要延伸电缆和探头,仪器的1m/2m/4m延伸电缆选件可将电缆延伸的误差降至小。

各种二极管、三极管、MOS管的分布电容也是本仪器的测试内容

    
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