FDS-已校准的光电二极管_光电探测器-杭州谱镭光电技术有限公司

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包括一种铟镓砷（InGaAs）、两种硅（Si）和两种锗（Ge）光电二极管

校准特性:

每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。

不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此，您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异，但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了zui小、平均和zui大响应度，并给出了曲线。

请注意，在检测器的有源区的边缘的不均匀性可以产生不想要的电容和电阻效应，扭曲光电二极管输出的时域响应。因此Thorlabs建议在光电二极管上的入射光集中在活动区域。这可以通过将前面的检测器元件中的聚焦透镜或针孔。

NIST可追溯校准的Si光电二极管

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我们提供两种NIST可追溯校准的Si光电二极管现货。Si光电二极管从可见到近红外光谱比较敏感。FDS100-CAL和FDS1010-CAL都是大面积Si光电二极管，前者封装在一个金属管壳中，后者位于一个方形陶瓷基底上。关于它们的规格的详细信息请参看规格标签。

FDS100-CAL 响应率数据,
FDS1010-CAL 响应率数据

Item #	Wavelength	Active Area	Rise/Fall Time*	NEP**	Dark Current	Package	V_bias,max	Pin Configuration
FDS100-CAL	350 - 1100 nm	3.6 x 3.6 mm	10 ns @ 20 V	1.2x10^-14 W/Hz^1/2	20 nA max （20 V）	Ø0.36" Can	25 V
FDS1010-CAL	400 - 1100 nm	9.7 x 9.7 mm	45 ns @ 5 V	5.5x10^-14 W/Hz^1/2	0.6 µA max （5 V）	0.45" x 0.52" Ceramic Wafer	20 V

*R_L=50 欧姆
**在 900 纳米测量的结果

NIST可追溯校准的Ge光电二极管

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我们提供两种NIST可追溯校准的Ge光电二极管现货。Ge光电二极管对800-1800纳米的近红外光谱比较敏感。FDG03-CAL和 FDG05-CAL用于镀800 - 1800 纳米增透膜，前者封装在一个金属管壳中，后者位于一个方形陶瓷基底上。关于它们的规格的详细信息请参看规格标签。.

FDG03-CAL 响应率数据,
FDG05-CAL 响应率数据

Item #	Wavelength	Active Area	Rise/Fall Time*	NEP**	Dark Current	Package	V_bias,max	Pin Configuration
FDG03-CAL	800 - 1800 nm	Ø3 mm	500 ns @ 3 V	1.0x10^-12 W/Hz^1/2	4.0 µA max （1 V）	Ø0.36" Can	3 V
FDG05-CAL	800 - 1800 nm	Ø5 mm	220 ns @ 5 V	4.0x10^-12 W/Hz^1/2	40 µA max （3 V）	0.275" x 0.310" Ceramic Wafer	5 V

NIST可追溯校准的InGaAs光电二极管

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我们的库存中有NIST可追溯校准的InGaAs光电二极管。InGaAs光电二极管对从800到1700纳米的近红外光谱比较敏感。FGA21-CAL具有PIN结构，从而具有快速的零偏压上升/下降时间。关于该光电二极管的规格的详细信息请参看规格标签。

FGA21-CAL 响应率数据

Item #	Wavelength	Active Area	Rise/Fall Time*	NEP**	Dark Current	Package	V_bias,max	Pin Configuration
FGA21-CAL	800 - 1700 nm	Ø2 mm	66 ns @ 0 V	3.0x10^-14 W/Hz^1/2	200 nA max （1 V）	Ø0.36" Can	3 V