目录:孚光精仪(中国)有限公司>>表面微纳测量>>纳米压痕仪>> FPSEM-STE3NIII族氮化物分子束外延系统
产地类别 | 进口 | 应用领域 | 环保,能源,电子,航天 |
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这款III族氮化物分子束外延系统专业为A3N材料生长设计的MBE设备,适合氨气高温下制备生长A3N半导体材料,提供非常广泛的可用生长参数(有效氮通量、衬底温度、生长过程中的真空度)。III族氮化物分子束外延系统设计在衬底上提供*的温度(>1200℃)以及在长生长周期中加热阶段的可靠工作。利用氨作为活性氮源,可以生长出高质量、厚的AlN/AlGaN缓冲层。这项技术的结果是生长出位错密度极低的活性层,为分子束外延(MBE)创造了记录。
III族氮化物分子束外延系统系列有两种(STE3N2)和三种(STE3N3)基本类型,配备有缓冲准备室。除了NH3注入器外,III族氮化物分子束外延系统还可能配备氮等离子体源(可选),用于生长InGaN、InAlN和InAlN的活性层藻类:MgIn与氨水混合。
III族氮化物分子束外延系统采用衬底支架和生长操纵器的加热台的patent设计,用于III氮化物生长的所有类型衬底(蓝宝石、SiC、Si、AlN)提供了非常高的加热均匀性。允许最大衬底直径100mm,用于基础和应用研发以及基于III型氮化物的高质量外延片的试生产。
III族氮化物分子束外延系统主要特点:
•特殊的先进设计和经批准的生长反应器,在NH3环境和jiduan基质温度下提供关键系统组件的长期可靠运行
•超大液氮冷冻板,用于有效的氨气泵送,在高NH3负荷下提供连续生长
•patent铝源,特殊设计,延长使用寿命,在氨气环境下提供超过2μm/h的AlN生长速率,无金属蠕变
•能够生长质量与在不匹配衬底上生长的MOCVD层相当的GaN外延层
•在系统基本配置中对生长过程进行现场监测的所有必要工具
•获得patent的基板支架设计,在整个晶圆上提供高温均匀性
•高温生长操纵器,在不低于1200°С的生长温度下提供高质量AlN层的连续生长
•在210-135 mm范围内改变“源-基"距离的能力,以使用不同类型的电池和晶片OD优化均匀性
•STE3N2双腔型紧凑型“封装外形"
•安装期间的有效技术支持,包括基本工艺转移
•简单的系统操作和定期的技术维护
III族氮化物分子束外延系统主要选项:
•准备室,带有用于基板支架(7个)和脱气台的存储盒,原子氢源专用端口
•额外的渗出细胞(5、15、25、35、60 cc的坩埚)
•附加PID调节器电源单元
•射频等离子体氮源,带有带MFC的氮气供应管线
•SiH4气体喷射器和带MFC的气体供应管线
•Bayard-Alpert型束流监测器(BFM)
•在涡轮泵中提供额外的原子基底,以及分子泵制备
•带电源装置的钛升华泵
•额外的基板支架,包括用于非标准尺寸样品的适配器
•系统运行的起始材料(Ga、Al、In、NH3、N2、Si、Mg、钛金属化蓝宝石晶片等)
•基于相分离器的液氮供应系统
•额外的备件和附件套件
III族氮化物分子束外延系统参数:
烘烤后生长室的最终真空度,Torr | <5×10-11 |
最大基板直径,mm | 100 |
3″基板的厚度和成分不均匀度,% | ±1 |
生长机械手加热元件的设计 | PBN/PG/PBN |
最大基板表面温度,℃ | 1200 |
生长室压力,Torr: –基板温度为970°С,氨流量为400 sccm –基底温度为1200°С,氨流量为100 sccm –基底温度为500°С,氨流量为1000 sccm | <1×10-5 <5×10-6 <1×10-5 |
生长几何学 | 可调,“源到基片"距离135-210 mm |
集成分析 | RHEED、BFM(可选)、RGA、激光干涉仪、红外高温计 |
制备室中基板退火的最高温度,不低于,℃ | 1100 |
最大氨工作流量,sccm | 100 |
生长室的烘烤温度,不低于,℃ | 200,无热点形成 |
工艺过程自动化 | 操作员通过控制界面进行手动控制或通过配方执行工艺 |