掩膜对准曝光机 返回列表页

桌面型掩膜对准曝光机是装备有紫外LED光源的mask aligner,是掩膜对准器中的理想冷光源紫外曝光机。能够在4英寸工作面积上实现2微米微结构，对准精度高达3微米，广泛用于光刻掩膜对准曝光，适用于微流体芯片，微电子，光学微结构,MEMS等微纳器件的光刻制作。
桌面型掩膜对准曝光机参数
分辨率：2微米
接收掩膜大小：5英寸 （2英寸可选）
接收衬底大小：2-4英寸， 50x50mm 到 100x100mm
系统可视分辨率：3微米 （1.5微米可选）
掩膜/衬底测量距离分辨率：0.5微米
theta衬底位移分辨率：5.10-4度
XYZ衬底位移分辨率：0.4微米（0.2微米可选）
波长：365nm 或 405nm
功率密度：35mW/cm^2
曝光中衬底升温：<1摄氏度
曝光时间：1秒到18小时
可编程曝光循环：>100个
尺寸：475x475x478mm
重量：55kg
触摸屏：15.6寸彩色触摸屏
电力要求：220V
用电功耗：180W