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摘要
在半导体行业需要应用ICP-MS监测芯片制造 过程中的清洗液中磷的含量。磷的质荷比为31 ，会 受到N15O16 、 Si28H1 、 N14O16H1等多原子离子 的干扰 ， 以至于背景信号特别高 ，检出限难以满足 要求 。 故本实验采用冷焰条件 ， 通过P31O16测试 某芯片制造广生产过程中的清洗液 。 检出限低至 0.037ug/L ， 同时对比了热焰情况下 、 ICPMS的测 试结果及ICP-OES的测试结果 ，结果表明 ， 三者结果相近。
挑战
通过P31O16测试P ， 避免N15O16、
Si28H1、 N14O16H1的干扰 ， 获得 更低检出限
基体
1%HNO3
目的
检测低含量P
样品和试剂
表 1 校准曲线
仪器方法
表2 PQMS配置参数
结果
表3 测试结果
表4 标准曲线及LOD
讨论
本实验采用冷焰条件 ，通过P31O16测试某芯片制造广生产过程中的清洗液。线性相关 系数0.999879 ，检出限低至0.0374ug/L。 同时对比了冷焰条件、热焰条件下ICPMS的测试结 果及ICP-OES的测试结果 ，结果表明 ，三者结果相近 ，充分证明了采用冷焰条件 ，通过测试 P31O16测试样品中的P是一种可靠的方法。
产品介绍
PlasmaQuant MS 灵敏度可显著提高样品分析效率降低单样品分析成本。设计的ICP-MS分析确保在极短的积分时间或大比例稀释的前提下，依然可以获得的检出限和恒定的分析速率。这就保证了最大的样品通量、分析结果的长期稳定性及重复性，并显著减少日常维护频率。
优势：
· 超高灵敏度： 灵敏度【cps/ppm】低质量数：7Li ≥100 M，中质量数：115In ≥500 M，高质量数：238U ≥500 M; 氧化物产率（CeO+/Ce+）：≤1.8 %
· 运行成本：氩气消耗降低50%
·高效：样品分析速率提升 50%
· 稳定：轻松应对各种复杂基体，确保优异的长期稳定性
·灵活：根据不同应用多样化配置仪器
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