等离子去胶机在先进封装中的光刻胶清除过程中扮演着至关重要的角色。以下是对该过程的详细分析:
一、等离子去胶机的工作原理
等离子去胶机利用高能等离子体与光刻胶发生化学反应或物理轰击,将光刻胶分解为挥发性产物并去除。这一过程通常涉及氧等离子体与光刻胶中的碳、氢、氧高分子化合物发生聚合反应,生成易挥发的二氧化碳、一氧化碳和水蒸气等反应物,从而达到去除光刻胶的目的。
二、等离子去胶在先进封装中的应用
1.重布线层(RDL)
在扇出型封装(FOWLP)或硅/玻璃/有机中介层上制作高密度RDL线路后,线路侧壁与底部的光刻胶残留易引发短路或高阻故障。通过等离子去胶技术,可以有效去除这些残留物质,避免金属线路短路或接触阻抗异常,提高后续电镀质量。
2.玻璃通孔(TGV)
TGV是2.5D/3D堆叠的核心垂直互联通道,通孔内光刻胶的去除面临高深宽比挑战。等离子去胶技术能够有效去除通孔内的光刻胶残留,保障可靠性,避免传统湿法去胶可能导致的微裂纹风险。
3.倒装(Flip Chip)
在倒装工艺中,等离子去胶机能够清除UBM表面及间隙的残余光刻胶,避免引发焊点界面失效(如虚焊、空洞等),从而确保封装的可靠性和性能。
三、等离子去胶机的优势
1.去胶全:等离子去胶技术能够去除光刻胶及其残留,避免对后续工艺造成不良影响。
2.速度快:相比传统湿法去胶,等离子去胶速度更快,能够显著提高生产效率。
3.无需引入大量化学物质:等离子去胶过程主要依赖物理和化学反应,无需引入大量化学物质,有利于环保和成本控制。
4.对材料损伤小:等离子去胶过程中对材料的损伤较小,有利于保护封装结构的完整性和性能。
等离子去胶机在先进封装中的光刻胶清除过程中具有显著优势,其高效、环保、对材料损伤小的特点使其成为先进封装工艺中不可少的一部分。
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