日本古河furukawa氮化铝 (AlN) 陶瓷零件半导体制造设备用

来源：深圳秋山工业设备有限公司 2024年07月29日 17:32

半导体制造设备（用于前端工艺）需要应对更小的设计规则和更大的晶圆直径（300mmφ或更大）。为此，构成设备的部件材料的选择极其重要。

氮化铝（AlN）是一种平衡良好的材料，具有优异的导热性、热辐射（散热）、抗热震性和电绝缘性，并且具有与硅晶片相匹配的热膨胀性。

利用古河电子的烧成技术，我们还能够制造550mmφ的氮化铝陶瓷部件。我们还将应对更大直径的晶圆。

我们还提供材料。如果您对氮化铝陶瓷有任何疑问，请随时与我们联系。

特征

具有高导热率和热发射率，热量均匀性高。

它具有抗热冲击能力，可以承受快速加热和冷却。

与硅相匹配的低热膨胀。

对氟气具有优异的耐腐蚀性。

目的

半导体制造装置（CVD、蚀刻等）用各种基座、静电吸盘、均热板、真空吸盘、加热器

虚拟晶圆

目标

化合物半导体制造设备零部件

型号：FAN-090 / FAN-170 / FAN-200

凡本网注明“来源：化工仪器网”的所有作品，均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-化工仪器网合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明“来源：化工仪器网”。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。
本网转载并注明自其他来源（非化工仪器网）的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品第一来源，并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。

联系我们