产品推荐:气相|液相|光谱|质谱|电化学|元素分析|水分测定仪|样品前处理|试验机|培养箱


化工仪器网>技术中心>解决方案>正文

欢迎联系我

有什么可以帮您? 在线咨询

采用t-plot方法进行多种材料分析

来源:大昌洋行(上海)有限公司(大昌华嘉科学仪器部)   2022年05月17日 18:31  

Lippens和de Boer开发了t-plot方法,是一种能够分析多种材料比表面积和孔容的方法。t-plot是将吸附等温曲线(横坐标为相对压力P/P0,纵坐标为吸附量)转化为以吸附层厚度的曲线(横坐标为吸附层厚度,纵坐标为吸附量),使用标准T曲线(横坐标是相对压力,纵坐标是吸附层厚度t)进行转化。吸附层厚度是通过公式1定义的,假定氮气分子在材料表面呈六边形紧密排列,Vm:单层吸附量,V:特定相对压力下的吸附量。

1.png

通过无孔石英砂(a),微孔高硅分子筛(b),和含有介孔的多孔二氧化硅Develosil(c)的N2@77.4 K吸脱附等温曲线转化得到的t-plot,采用无孔二氧化硅的标准t曲线来计算得到各自的比表面积和孔容,如图2所示。石英砂(a)是一条过原点的直线,可以看出基本与SiO2的标准t曲线一致。该线的斜率提供了比表面积的信息。

2.png

在高硅分子筛中,通过吸附等温线可以判断微孔的存在。过原点的直线斜率很大 (见图3 中的直线 ①),当微孔被N2填充*后,斜率变小 (图3直线 ②). 从拐点计算平均孔半径(t) ,但是当2t值小于0.7nm时,这个数值就不可靠了。另外,图3中的第二条直线的截距和斜率分别表示微孔孔容和外表面积。微孔的比表面积可以通过条直线斜率得出的总表面积减去外表面积获得。此外,在多孔二氧化硅Develosil (c)中,过原点的直线向上发生了偏移 (见图 2(c)),与吸附支发生毛细冷凝现象一致,显示出孔的形状为圆柱形(见应用指南7 BJH方法分析介孔孔径分布)。从两条直线的斜率和截距可以计算得到总比表面,外表面积,介孔表面积和介孔孔容,详见表1。

3.png

Table 1 各材料的比表面和孔容

4.PNG

当采用t-plot方法对吸附等温线进行分析时,必须选择参考t-曲线。理想情况下,最好对样品做一条参考t曲线,并且保证样品的化学性质相同,且是无孔的。因此,我们正在准备与待分析样品化学性质接近的非极性样品的参考的t曲线,以及一些模型如Harkins-Jura和FHHs。


免责声明

  • 凡本网注明“来源:化工仪器网”的所有作品,均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-化工仪器网合法拥有版权或有权使用的作品,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明“来源:化工仪器网”。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
  • 本网转载并注明自其他来源(非化工仪器网)的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品第一来源,并自负版权等法律责任。
  • 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
企业未开通此功能
详询客服 : 0571-87858618