JFY3022A 型晶体管参数测试仪的技术参数

北京同德创业科技有限公司

进入展台在线留言

欢迎联系我

有什么可以帮您？在线咨询

JFY3022A 型晶体管参数测试仪的技术参数

来源：北京同德创业科技有限公司 2021年06月09日 09:29

晶体管参数测试仪型号：JFY3022A

JFY3022A晶体管参数测试仪详细介绍
※概述:
JFY3022A晶体管参数测试仪，是一种专门用于各种电子元件参数测试的新型多功能测试装置。该机采用大规模MCU设计,中文界面操作,大容量内存,可存2000种元件参数设置数据.仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便,适用电子产品生产厂家或电子元件供应商来料检测。
※ 测量元件类型:
N型三极管,P型三极管,N型MOS场效应管,P型MOS场效应管N型结型场效应管,正负三端稳压IC,三端肖特基,基准器431,整流二极管,整流桥堆，可控硅，稳压二极管.
※ 测量参数:
■ 整流二极管,三端肖特基，整流桥堆:

参数項	测试参数	测试条件设置
正向压降(VF)	0-2.000V	0-2.000A
耐压(VRR)	0-1500V	0-2.000MA

■N型三极管:

参数項	测试参数	测试条件设置
输入正向压降(VBE)	0-2.000V	0-2.000A
耐压(BVCEO)	0-1500V	0-2.000MA
放大倍数(HEF)	0-3000	VCE:0-20V IC:0-2.000A
饱和压降(Vsat)	0-2.000V	IB:0-2.00A IC:0-2.00A

■P型三极管:

参数項	测试参数	测试条件设置
输入正向压降(VBE)	0-2.000V	0-2.000A
耐压(BVCEO)	0-1500V	0-2.000MA
放大倍数(HEF)	0-3000	VCE:5.0V IB:100uA
饱和压降(Vsat)	0-2.000V	IB:0-2.00A IC:0-2.00A

N,P型MOS场效应管:

参数項	测试参数	测试条件设置
启动电压(VGS(th))	0-20.00V	0-2.000mA
耐压(BVCEO)	0-1500V	0-2.000mA
导通内阻(Rson)	0.1Mr-200R	Vgs:0-20V Id:0-2.000A

单双向可控硅:

参数項	测试参数	测试条件设置
触发电流(IGT)	0-40.MA	VD=0-20V,ID=0-2.000A
触发电压(VGT)	0-2.000V	VD=0-20V,ID=0-2.000A
耐压(VDRM VRRM)	0-1500V	0-2.000mA
通态压降(VTM)	0-2.000V	IT:0-2.00A

三端稳压IC:

参数項	测试参数	测试条件设置
输出电压(Vo)	0-20.00V	Vin:0-20V Io:0-2.00A

基准IC 431:

参数項	测试参数	测试条件设置
输出电压(Vo)	0-20.00V	IZ:0-200mA

■ 稳压二极管:

参数項	测试参数	测试条件设置
稳压值(VZ)	0-20V	0-100MA
稳压值(VZ)	20-200V	0-2.000MA

免责声明

凡本网注明“来源：化工仪器网”的所有作品，均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-化工仪器网合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明“来源：化工仪器网”。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。
本网转载并注明自其他来源（非化工仪器网）的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品第一来源，并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。

JFY3022A 型晶体管参数测试仪的技术参数

免责声明

联系我们

关注我们