手机版
化工仪器网手机版
化工仪器网小程序
官方微信
公众号：chem17
扫码关注视频号
日本sanyu-electron溅射设备原理
这是将膜附着在物质上的方法，与电镀不同，它是在真空中进行的，无需使用化学药品。（在半导体制造中，与湿法相反，这称为干法。）
- 将要附着的样品放置在膜上，膜的原料（目标）彼此靠近。
- 将整体抽真空，并在样品和目标之间施加电压。
- 电子和离子高速移动，离子与目标碰撞。高速移动的电子和离子与气体分子碰撞，排斥分子中的电子，成为离子。
- 与目标碰撞的离子会排斥目标颗粒。（溅射现象）
- 被排斥的原料颗粒与样品碰撞并粘附，从而形成膜。
飞溅的历史
这种现象早已为人所知，但其实际应用是相对较新的。有关更多信息，请参见“相关链接”中的参考。
- 1852年，飞溅现象被英国科学家Globe发现。此时，重要的是如何减少作为放电管变脏的原因的飞溅。Globe作为燃料电池的第yi个实验者而闻名。
- 第二次世界大战期间，对光学部件减反射膜的需求增加，真空设备也有所发展。
- 1960年代后，溅射成膜技术开始主要在美国使用。（第yi台商用电子显微镜于1965年制造。）
- 在膜形成技术之前，将溅射现象用作离子泵。（通过溅射将气体分子带入电极中以获得更高的真空度。）
成膜方法分类
溅射和真空沉积是利用物理现象的成膜方法，但是也有利用化学反应的CVD方法。
- CVD [化学气相沉积]化学气相沉积。该方法是将样品放置在气体原料的气氛中，并通过化学反应在样品的表面形成薄膜的方法。碳化硅膜是*的，但它们也用于金属和有机聚合物。其特征在于可以形成高纯度的膜。
- 另一方面，真空沉积和溅射被称为PVD [物理气相沉积]物理气相沉积方法。该膜是通过将由于蒸发或溅射而变成颗粒的原材料粘附到样品上而形成的，并且不涉及化学反应。
飞溅的特征
成膜方法具有以下特征。
- 作为膜原料的颗粒的能量大，并且对样品的粘附力大。形成坚固的膜
- 可以在不改变诸如合金和化合物之类的原料的组成比的情况下进行成膜。
- 即使是高熔点原料，也难以成膜。
- 只能通过时间来高精度地控制膜厚度。
- 通过引入反应性气体，可以形成氧化物和氮化物6：即使在大面积上也可以形成均匀的膜。
- 蚀刻可以通过将样品放置在目标位置来进行。
- 成膜速度通常较慢（取决于方法）
各种溅射方法
引入的原理是直流溅射，但是已经设计出各种方法来弥补该缺点。以下是典型的溅射方法。
- 直流溅射-在两个电极之间施加直流电压的方法
- 射频溅射-如何施加交流电（高频）
- 磁控溅射-一种通过在磁体的靶侧产生磁场来从样品中分离血浆的方法。
- 离子束溅射-一种在与靶标或样品不同的位置产生离子并加速向靶标施加的方法。
此外，还有相反的目标，用于ECR（电子回旋加速器）和半导体制造的准直仪以及长距离方法。另外，已经开发了用于磁控管方法的各种方法，其中改变了靶的形状和磁体的布置。
直流溅射
这是初设想的溅射方法。有关详细信息，请参见“什么是溅射？原理”。
DC溅射具有许多优点，例如结构简单，但是存在以下问题。
- 必须引起辉光放电，并且设备内部的真空度相对较低，这会受到残留气体的影响。具体而言，膜与气体反应，或者气体被捕集在膜中。
- 气体处于分为离子和电子的等离子体状态，样品也暴露于高温等离子体中。由于温度上升而损坏。
- 当原料（靶）是绝缘体时，离子沉积在表面上，并且放电停止。
如何使用飞溅
随着RF飞溅物的发展，可以形成各种物质以及金属的薄膜，因此被广泛使用。
- 磁盘（垂直磁记录介质的生成）
- CD / DVD（记录面上的金属膜）
- 半导体（电路产生。存储器[铁电膜]，各种传感器）
- 磁头（用于高密度记录的硬盘。新的使用多层膜的磁头）
- 喷墨打印机头
- 液晶显示装置（透明电极的产生）
- 有机EL显示装置（透明电极的产生）
- 高亮度LED
- 电子显微镜的样品制备（通过导电膜防静电）
- 光催化薄膜
- 分析（确定通过溅射跳过的表面物质，而不是成膜的物质）
- 纳米机（形状记忆合金膜）
- 在塑料和玻璃上产生电磁屏蔽膜
台式快速涂布机SC系列紧凑型溅射设备，用于制备导电薄膜
使用紧凑且易于使用的设备可以轻松生产各种金属的薄膜。请参见此处进行
SEM / TEM等预处理。
SC-701MkⅡ进阶
 | 高规格紧凑型镀膜机，适用于各种金属，例如镍，铬，钨，钛，铝 |
SC-701AT
 | 只需设置样本并等待。全自动溅射，膜厚可调。 |
SC-701HMCⅡ
 | 磁控管类型适用于W / Ti / Cr等薄膜生产。微电脑控制/自动快门标准设备。 |
SC-701MkⅡ
 | 该系列中小的溅射，使电极薄膜的制造变得容易 |
SC-701MC
 | 使用对样品友好的磁控管阴极。膜厚可控的全自动模型。 |
SC-708系列
 | 非常适合在大型基板上进行薄膜制造以及PDMS的表面处理 |
相关产品
免责声明
- 凡本网注明“来源：化工仪器网”的所有作品，均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-化工仪器网合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明“来源：化工仪器网”。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。
- 本网转载并注明自其他来源（非化工仪器网）的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品第一来源，并自负版权等法律责任。
- 如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。
采购中心
