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光刻胶的光聚合反应/水解反应示意图

来源:西安齐岳生物科技有限公司   2021年01月22日 14:32  

光刻胶的光聚合反应/水解反应示意图

光聚合反应示意图

光分解型光刻胶,采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性光刻胶;光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,可以制成负性光刻胶。

 

光分解反应示意图

在半导体集成电路光刻开始使用深紫外(DUV)光源以后,化学放大(CAR)逐渐成为行业应用的主流。在化学放大光刻胶中,树脂是具有化学基团保护因而难以溶解的聚乙烯。化学放大光刻胶使用光致酸剂(PAG)作为光引发剂。

 

光交联反应示意图

当光刻胶曝光后,曝光区域的光致酸剂(PAG)将会产生一种酸。这种酸在后热烘培工序期间作为催化剂,将会移除树脂的保护基团从而使得树脂变得易于溶解。化学放大光刻胶曝光速递是DQN光刻胶的10倍,对深紫外光源具有的光学敏感性,同时具有高对比度,对高分辨率等优点。

化学放大光反应示意图

按照曝光波长分类;光刻胶可分为紫外光刻胶(300~450nm)、深紫外光刻胶(160~280nm)、极紫外光刻胶(EUV13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶,其适用的光刻分辨率不同。通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长越短,加工分辨率越佳。

产品供应:

 

产品型号光源分辨率厚度(um)适用范围
厚胶 Thick ResistSU-8 GM10xx系列g/h/i-Line负性0.1um0.1-200具有较大的高宽比,透明度高,垂直度。
SU-8 Microchemg/h/i-Line负性0.5um0.5-650具有较大的高宽比,透明度高,垂直度。
SPR220g/h/i-Line正性1um1—30可用于选择性电镀电镀,深硅刻蚀等工艺。
NR26-25000Pg/h/i-Line负性 20-130厚度大,相对容易去胶。
电子束光刻胶型号光源类型分辨率厚度(um)适用范围
SU-8 GM1010电子束负性100nm0.1-0.2可用于做高宽比较大的纳米结构。
HSQ电子束负性6nm30nm~180nm分辨率较好的光刻胶,抗刻蚀。
XR-1541-002/004/006
HSQ Fox-15/16电子束负性100nm350nm~810nm分辨率较好的光刻胶,抗刻蚀。
PMMA(国产)电子束正性\\高分辨率,适用于电子束光刻工艺,较常用的电子束光刻正胶。
PMMA()电子束正性\\MicroChem,分子量,适用于电子束光刻工艺,较常用的电子束光刻正胶。
薄胶型号光源类型分辨率厚度(um)适用范围
S18xx系列g-Line正性0.5um0.4-3.5较常用的薄光刻胶,分辨率高,稳定。
SPR955系列i-Line正性0.35um0.7-1.6高分辨率(0.35um)光刻胶,稳定。
BCI-3511i-Line正性0.35um0.5-2国产0.35um光刻胶,已经在量产单位规模使用。
NRD6015248nm负性0.2um0.7-1.3国产深紫外光刻胶,已经在量产单位规模使用。
Lift off光刻胶型号光源类型分辨率厚度(μm)适用范围
KXN5735-LOg/h/i-Line负性4μm2.2-5.2负性光刻胶;倒角65-80°,使用普通正胶显影液显影。
LOL2000/3000g/h/i-Line/NA130nm-300nm非感光性树脂,可以被显影液溶解,作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。
ROL-7133g/h/i-Line/4um2.8-4负性光刻胶,倒角75~80°,使用普通正胶显影液。
光刻胶配套试剂品名主要成分包装应用//
正胶显影液TMAH 2.38%4LR/PC正胶显影液//
正胶稀释剂PGMEA4LR/PC稀释剂//
SU8 显影液PGMEA4L/PC显影SU8光刻胶//
RD-HMDSHMDS500ml/PC增粘剂//
OMNICOAT见MSDS500ml/PCSU-8增粘剂//

上述产品齐岳生物均可供应,用于科研!

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