高频光电导少数载流子寿命测试仪用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有一个测量平面外,对样块体形严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质的重要检测项目。
子寿命测定仪产品简介:
高频光电导少数载流子寿命测试仪仪器采用GB/T1553-1997中硅单晶少数载流子寿命测定高频光电导衰减法,主于测量高阻长寿命单晶,现在已经在半导体材料有限公司、研究所、峨嵋半导体材料厂、半导体材料有限公司等投入使用。
少子寿命测定仪参数:
测试单晶电阻率范围:ρ﹥2Ω•cm
可测单晶少子寿命范围:5μs~10000μs
红外光源配置: 波长1.06~1.09μm
仪器测量重复误差:﹤±25%
测量方式:采用数字示波器直接读数方式
消耗功率:﹤50W
工作条件:
温 度:10-35℃
湿 度:﹤65%
使用电源:AC220V 50HZ(建议配置稳压电源)
可测单晶尺寸:
断面竖测:
直 径:25mm-150mm
厚 度:2mm-500mm
纵向卧测:
直 径:5mm-20mm
长 度:50mm-800mm
高频振荡源:用石英谐振器,振荡频率30MHZ
前置放大器,放大倍数约25,频宽2HZ-2MHZ
可根据已知寿命样品调校测量寿命值,可调范围广
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