如上所述,在非接触型中,通过将样品插入上下配对的探针之间的间隙中来执行测量。
因此,探针单元的形状不可避免地限制了样品的厚度和相应的尺寸。
- 样品厚度限制:探针之间的间隙通常为2 mm。
- 样品支架尺寸限制:由于U形单元的形状,深度受到限制。
因此,为了处理大样本和厚样本,我们通过应用涡流技术开发并制造了一种单面手持式探头。
如左图所示,只需垂直于样品表面触摸探头即可进行测量。
日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪
测量规格
测量目标
半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关(金属,ITO等)
硅基外延,离子与
半导体相关的注入样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*请与我们联系)
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量(但是,大于20mmφ且表面平坦)
测量范围
[电阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探头类型的总范围/厚度500um)
[板电阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探头类型的总范围)
*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太阳能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)
测量规格
测量目标
半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关(金属,ITO等)
硅基外延,离子与
半导体相关的注入样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*请与我们联系)
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量(但是,大于20mmφ且表面平坦)
测量范围
[电阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探头类型的总范围/厚度500um)
[板电阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探头类型的总范围)
*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太阳能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)
日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪
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