美国TI DRV5055是线性霍尔效应传感器，对磁通密度成比例响应。该设备可用于各种应用中的准确位置感测。

该器件采用3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时，模拟输出驱动一半的V CC。输出随施加的磁通密度线性变化，并且四个灵敏度选项可根据所需的感应范围实现大输出电压摆幅。南北磁极产生*的电压。

垂直于包装顶部的磁通量被感测，并且两个包装选项提供了不同的感测方向。

该器件采用比例架构，当外部模数转换器（ADC）使用相同的V CC作为参考时，可以消除V CC容限的误差。此外，该器件具有磁体温度补偿功能，以抵消磁体如何在–40°C至125°C的宽温度范围内漂移以实现线性性能。还提供不对磁铁漂移进行温度补偿的设备选件。
DRV5055美国TI霍尔效应传感器工作原理如下：
霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。
DRV5055美国TI霍尔效应传感器特点：
比例线性霍尔效应磁传感器
使用3.3V和5V电源供电
具有V CC / 2静态偏移的模拟输出
磁灵敏度选项（在V CC = 5 V时）：
A1 / Z1：100 mV / mT，±21-mT范围
A2 / Z2：50 mV / mT，±42-mT范围
A3 / Z3：25 mV / mT，±85-mT范围
A4 / Z4：12.5 mV / mT，±169-mT范围
快速的20kHz感应带宽
低噪声输出，±1mA驱动
A1 / A2 / A3 / A4版本的磁体温度漂移补偿，Z1 / Z2 / Z3 / Z4版本的磁体温度漂移补偿
标准行业包装：
表面贴装SOT-23
通孔TO-92：
DRV5055美国TI霍尔效应传感器应用
准确的位置感应
工业自动化与机器人
家用电器
游戏手柄，踏板，键盘，触发器
高度校平，倾斜和重量测量
流体流量测量
医疗设备
角度编码
电流感应
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