高阻霍尔效应测试系统JH60E产品概述：

本仪器系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性*的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻）(Magnetoresistance)等

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高温霍尔效应测试系统JH60E技术指标：

* 磁 场：10mm 间距为 2T 30mm 间距为 1T

* 样品电流：0.05uA~50mA(调节 0.1nA)

* 测量电压：0.1uV~30V

* 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）

* 小分辨率：0.1GS

* 磁场范围：0-1T

* 配合高斯计或数采板可计算机通讯

* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等

* 霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线

* 电阻率范围：10-7~1012 Ohm*cm

* 电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms

* 载流子浓度：103~1023cm-3

* 迁移率：0.1~108cm2/volt*sec

* 温度调节 0.1K

* 温区：293K-470K

* 测试全自动化，一键处理

* 可实现相同温差间的连续测量

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各系统参数：

高精度电磁铁

极头直径 100mm;

N，S 间距 10mm 时大磁场 20000Gs;

N，S 间距 20mm 时大 13000 高斯;

N, S 间距 30mm 时大磁场 10000 高斯;

均匀区：间距 60mm 时直径 10mm均匀度范围; 1%

自重 110 公斤 含支架及轮子

高精度双极性恒流电源

输出： ±10A±80V 功率；800W

① 电源输出电流可在正负额定大电流之间连续变化

② 电流可以平滑过零点，非开关换向

③ 输出电流、电压四象限工作（适合感性负载）

④ 电流变化速率可设置范围为 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.为额定大输出电流）

※ 电流稳定度高，纹波低

①电流稳定度：优于±25ppm/h（标准型）；优 于±5ppm/h（高稳型） ② 电流准确度：±（0.01%设定值+1mA） ③ 电流分辨率：20 bit，例 15A 电源，电流分辨率为 0.03mA

④ 源效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供电电压变化 10%时，输出电流变化量）

⑤ 负载效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在负载变化 10%时，输出电流变化量）

⑥ 电流纹波（RMS）：小于 1mA

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高精度高斯计：

精度：读数的±0.30% ;

分辨力：0.01mT 量程:0-3T ;

探头厚度:1.0mm ;

长度 100mm 数字;

Rs-232 接口数据读取软件配 GP3 型探头

高斯计探头支架及样品架 全铝非导磁支架 5-70mm 可调

样品架夹具（按要求定制）

霍尔效应系统软件 可数字化调节磁场及电流,测试各类材料参数

高温恒温器： （293K-470K）高低温真空容器

TESK301恒温仪： 控温（65k-600k)

真空泵 K25 真空泵

恒流源及测试表

恒流源量程：±50nA-±50mA；

分辨力 0.1nA 在量程范围内连续可调；

高精度电压数采仪范围 0. 1uV-30V

精度：0.01%

内置测试矩阵转换卡；

欧姆接触套件 根据不同材料的欧姆接触制作套件

系统组成：

高温霍尔效应测试系统由电磁铁、真空泵、高温真空腔、高斯计、恒流源、电磁铁电流源、控温仪和计算机及软件组成。其中，电磁铁电流源给电磁铁提供电流产生磁场；高斯计测量电磁铁产生的均匀磁场值；恒流源一方面给样品提供样品测试电流，用于霍尔效应测试，一方面用来测量样品反馈的霍尔电压；被测样品置于高温真空腔中，由高温胶固定，并作为四个测试点；高温真空腔引出 4 根导线，两个连接控温仪进行温度的测量及控制，另 1 根是高温探头引线连接到高斯计上，还有 1 根是霍尔样片连接线连接到恒流源上；计算机连接高斯计、控温仪、恒流源和电磁铁电流源，通过软件实现控制通过被测样品的电流和磁场值，并获取测得的电压值。

可测试材料: 

半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等

低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等

高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等