微流控芯片温度控制主要运用在芯片行业中，那么，对于微流控芯片温度控制中的一些专业术语，我们需要了解清楚，才能更有效的运行微流控芯片温度控制装置。

　　微流控芯片温度控制中CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。现在对于一般的wafer工艺，很多公司多把CP给省了；减少成本。CP对整片Wafer的每个Die来测试

　　而FT则对封装好的Chip来测试。CP Pass 才会去封装。然后FT，确保封装后也Pass。WAT是Wafer AcceptanceTest，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定。

　　微流控芯片温度控制CP是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal（if need），对一些基本器件参数的测试，如vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高。

　　微流控芯片温度控制FT是packaged chip level的Final Test，主要是对于这个（CPpassed）IC或Device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试；CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chip level 的Repair address，通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升。

　　对于微流控芯片温度控制测试项来说，有些测试项在CP时会进行测试，在FT时就不用再次进行测试了，节省了FT测试时间；但是有些测试项必须在FT时才进行测试（不同的设计公司会有不同的要求）一般来说，CP测试的项目比较多，比较全；FT测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封装yield高的话，CP就失去意义了）。在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做redundancy analysis，写程序很麻烦。CP在整个制程中算是半成品测试，目的有2个，1个是监控前道工艺良率，另一个是降低后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比FT要少些。简单的一个例子，碰到大电流测试项CP肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了（可以提率），所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。

　　微流控芯片温度控制中的专业术语可能大多数人都不是很懂，但还是建议用户多多了解相关专业知识更好的运行微流控芯片温度控制。(本文来源网络，如有侵权请联系删除，谢谢)