光刻：

    通过光刻将光刻版上的图形印刷到Wafer上，首先要在Wafer上涂上一层感光胶，在需要开口的地方进行高强平行光线曝光（紫外线），让光线通过，然后在经过显影，将开口处的胶去掉，这样就可以得到我们所需要的CD开口。所谓的CD（Critical-Dimensions）【临界尺寸】也即光刻的开口。

光刻工序中的曝光和显影类似照相的工艺原理。

曝光方式有三种

• 接触式曝光:解晰度好,但掩膜版易被污染   
• 接近式曝光:解晰度降低,但掩膜版不易被污染 
• 投影式曝光:解晰度好,并且掩膜版不易被污染 

在Bumping生产中,一般采用接近式曝光和投影式曝光两种方式.

正胶版与光刻胶的关系：

光刻版出现的白区，透过光照后，与胶发生光学反应，再通过感光胶的反应（显影液），得到所需要的CD开口区。

负胶版与光刻胶的关系：

光刻版出现的黑区与正胶版相反，透过光的区域不会被显影掉，未透光的区域与胶发生化学反应（显影液），将需要的光刻胶留在Wafer表面，

负胶的作用：一般用来对芯片起表面保护作用、压点转移、重新布线开口。

针对Bump与Bump之间间距很小或开口尺寸要求放大或缩小时