光刻胶

又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。

分类

光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，可以分为三种类型。

光聚合型

采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，zui后生成聚合物，具有形成正像的特点。

光分解型

采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。

光交联型

采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性。

参数

分辨率

分辨率英文名：resolution。区别硅片表面相邻图形特征的能力,一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，的分辨率越好。

对比度

对比度（Contrast）指从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。

敏感度

敏感度（Sensitivity）上产生一个良好的图形所需一定波长光的zui小能量值（或zui小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。

粘滞性/黏度

粘滞性/黏度（Viscosity）是衡量流动特性的参数。粘滞性随着中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的；越小的粘滞性，就有越均匀的厚度。的比重（SG，Specific Gravity）是衡量的密度的指标。它与中的固体含量有关。较大的比重意味着中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise），一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位：百分斯托克斯。

粘附性

粘附性（Adherence）表征粘着于衬底的强度。的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。

抗蚀性

抗蚀性（Anti-etching）必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

表面张力

液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。应该具有比较小的表面张力（Surface Tension），使具有良好的流动性和覆盖。

应用

模拟半导体（Analog Semiconductors）

发光二极管（Light-Emitting Diodes LEDs）

微机电系统（Microelectromechanical Systems MEMS）

太阳能光伏（Solar Photovoltaics PV）

微流道和生物芯片（Microfluidics & Biochips）

光电子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）

封装（Packaging）

研究方向

① 工艺角度

普通的在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，人们正在研究在曝光的表面覆盖抗反射涂层的新型技术 。该技术的引入，可明显减小表面对入射光的反射和散射，从而改善的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。

② 曝光系统

伴随着新一代曝光技术（NGL）的研究与发展，为了更好的满足其所能实现光刻分辨率的同时，也相应发展。*曝光技术对的性能要求也越来越高。

③的铺展

如何使均匀地，按理想厚度铺展在器件表面，实现工业化生产。

④的材料

从的材料考虑进行改善。