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高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV

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更新时间:2024-03-12 17:15:38浏览次数:385

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产品简介

产品简介:高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成,可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品(尺寸可达3″)的退火,并采用10KW的红外灯进行加热,升温速度可达120℃/s,配有RS485接口,可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线

详细介绍


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产品简介: 高真空快速 CVD 系统 OTF-1200X-4-RTP-C3HV 是由 4″RTP 炉、三通道混气系统和高真空机组 组成,可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品(尺寸可达 3″ )的退火,并采用 10KW 的红外灯进行加 热,升温速度可达 120/s,配有 RS485 接口,可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线。


产品型号

高真空快速 CVD 系统 OTF-1200X-4-RTP-C3HV

安装条件

本设备要求在海拔 1000m 以下, 温度 25℃±15℃ ,湿度 55%Rh±10%Rh 下使用。


1、水:不需要


2、电: AC220V 50Hz,必须有良好接地


3、气:设备腔室内需充注气体,需自备气瓶气源


4、工作台: 尺寸 1600mm×600mm×700mm ,承重 150kg 以上


5、通风装置:需要

主要特点

1 、双层 Al2O3 纤维钢构,无需水冷或风冷。


2、内炉膛表面涂有进口高温氧化铝涂层,可以提高设备的加热效率及延长仪器的使用寿命。


3 PID 控制器, 可以设置 30 段升降温程序,并设有过热保护和断偶功能。


4 、已通过 CE 认证。

技术参数

1 、电源: 单相 208V-240V AC    50Hz/60Hz    10KW


2、石英管: 外径 Ø110mm ,内径 Ø103mm ,长 380mm


3、加热元件: 8 根红外灯管, 灯丝长 200mm ,丝圈 Ø10mm ,灯长 300mm





4、加热区: 300mm


5 、工作温度: 温度 1100


6 、控温精度:±0.5


7、升温速度: RT-800℃时为 50/s 800-1000℃时为 10/s


8、温控仪:可控硅( SCRPID 自动控制


9 、真空法兰: 不锈钢,带有水冷接口和针阀,双层高温 O 型圈密封,长时间在>900℃条件下 运行必须采用水冷, 循环水流量为 0.5m3/hr

10、真空度: 10-2torr (机械泵), 10-5torr  (分子泵)


11 、质量流量计: 3 个, MFC1 范围0-100sccm MFC2 范围0-200sccm MFC3 范围0-500sccm 精度 1±%FS

12、混气罐: Ø80mm×120mm

产品规格

尺寸: 炉体 760mm×330mm×530mm ,真空混气系统 600mm×600mm×597mm


重量: 炉体 45kg ,真空混气系统 75kg


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