法国OPTO DIODE光电二极管SXUV100TF135 返回列表页

产品名称：OPTO DIODE光电二极管SXUV100TF135

产品型号：SXUV100TF135

产品介绍

每个检测器具有100mm²的有源面积和用于在12nm和18nm之间进行检测的直接沉积的薄膜滤波器。两种探测器在13.5nm处都具有0.09A/W的典型响应度，并且针对不同的电性能进行了优化。光电二极管非常适合用于激光功率监测、半导体光刻和利用极紫外光的计量系统等应用。SXUV100TF135针对更高速的反向偏置电压操作进行了优化。该器件具有低电容，通常为260pF，反向偏置电压为12伏。

性能特点

l 单个有效区域

l 检测到1 nm

l 暴露于EUV/UV条件后的稳定响应

l 保护盖板

技术参数

产地：法国

击穿电压：25 V

配置：单个

模块：否

包装：陶瓷

包装类型：陶瓷

光电探测器类型：PN

操作模式：光电导

波长范围：18至80 nm

响应时间：20 ns

反向电压：25 V

光谱带：紫外线

电容：220至350 pF

暗电流：8至25 nA

响应性/感光度：0.08至0.1 A/W@13.5 nm

有效面积：100 mm2（10 mm x 10 mm）

工作温度：-10至40℃

储存温度：-10至40℃

产品应用

激光功率监测

半导体光刻

计量系统