美国INPHENIX超辐射发光二极管IPSDD0701 返回列表页

INPHENIX超辐射发光二极管IPSDD0701

产品型号：IPSDD0701

产品介绍

超辐射发光二极管（SLD）是边发射半导体光源。超辐射发光二极管（SLD）的特性是与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。超辐射发光二极管（SLD）在几何形状上与激光器类似，但是没有内置的LD反射机制用于受激发射以实现激光。与LD相比，超辐射发光二极管（SLD）操作的主要区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。超辐射发光二极管（SLD）具有与LED相似的结构特征，通过降低刻面的反射率来抑制激光作用。超辐射发光二极管（SLD）本质上是高度优化的LED。虽然超发光二极管（SLD）像低电流水平的LED一样工作，但是它们的输出功率在高电流下也是超线性地增加。用于表征超辐射发光二极管（SLD）的六个关键参数：（1）输出功率;（2）光学增益; （3）ASE频谱带宽或3dB带宽; （4）频谱调制深度或纹波; （5）相干长度; 和（6）相干函数。

性能特点

l 宽光学带宽

l 客户波长可用

l SM/或PM光纤的高输出功率

技术参数

产地：美国

中心波长：740...760 nm

3dB带宽：7...10 nm

SM光纤的输出功率：3 mW

频谱调制深度：0.10...0.20 dB

工作电流：120...150 mA

背面显示器：可根据要求提供

工作温度：–20...70°C

储存温度：–40...85°C

TEC驱动电流：1.5 A

TEC驱动电压：3.6 V

电流：max.200 mA

热敏电阻：10kΩ@ 25°C

SLD芯片温度设置：25°C

光纤类型：SMF/PMF/MMF

光纤护套250μm紧密缓冲带900μm松套管

封装：14引脚DIL/14引脚BUT/8引脚BUT

铅焊料温度：260°C持续10秒

产品应用

宽带光源

光纤传感器（FOS）

OCT系统照明