艾赛斯模块总代IGBT模块功率模块半导体模块，IGBT是第三代功率模块，工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例...

SKKE系列西门康模块功率半导体电子元器件，SEMISTACK CLASSIC产品系列设计用于工业整流器和交流控制器的快速集成。每个功率组件都已明确规格，以便嵌...

艾赛斯MOS管模块在导通和截止的时候，MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失时电压和电流的乘积，叫做开关损失...

SK100WT08/12/16西门康模块 整流桥 整流器。整流桥又叫桥堆，由2个或者是4个二极管构成的整流器件，这种桥堆主要包含半桥与全桥两类，半桥又可以分为正...

MOS晶体管模块艾赛斯IXYS，IXYS成立于1983年,是一家总部位于德国并在美国纳斯达上市的世界著名半导体生产商，公司致力于提高效率,降低能耗的功率半导体产...

英飞凌模块单开关 IGBT模块3300V 1500A，IHV B 3300 V 1500 A 190 mm 单开关 IGBT 模块，具有第三代 TRENCHST...

英飞凌INFINEON整流桥模块，英飞凌是半导体科技公司，致力于打造一个更加便利、安全和环保的世界。我们提供全面的半导体解决方案，实现高效的能源管理、智能出行以...

英飞凌INFINEON二极管模块，英飞凌是半导体科技公司，致力于打造一个更加便利、安全和环保的世界。我们提供全面的半导体解决方案，实现高效的能源管理、智能出行以...

晶闸管模块英飞凌INFINEON，英飞凌是半导体科技公司，致力于打造一个更加便利、安全和环保的世界。我们提供全面的半导体解决方案，实现高效的能源管理、智能出行以...

整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，...

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降...

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-...

快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，...

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、...

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现...

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内...

IGBT发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的，特别是发展高压变频器的应用，简化其主电路，减少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，简化...

IGBT是第三代功率模块，工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史...

在供电系统中，MOS管的主要作用的是稳压。MOS管芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、...

MOS管导通特性，导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压抵达4V或...