菲尼克斯存储器2729389 IBS MC FLASH 2MB
程序和组态存储器,2 Mbyte
程序与组态存储器,可插拔
菲尼克斯存储器2729389 IBS MC FLASH 2MB
存储器 - IBS MC FLASH 2MB
2729389
程序和组态存储器,2 Mbyte
产品类型 | 存储介质 |
套件包括 | 2719483 IBS PLC5 DSC SYSKIT |
2719496 IBS PLC5 DSC SYSKIT E |
2725930 IBS BA DSC SYSKIT |
2725927 IBS BA DSC SYSKIT E |
2731089 IBS MEA SC SYSKIT |
2731092 IBS MEA SC SYSKIT E |
2723657 IBS GE 90-70 SC SYSKIT |
2723644 IBS GE 90-70 SYSKIT E |
2721303 IBS S7 300 SYSKIT |
2721316 IBS S7 300 SYSKIT E |
2721361 IBS S7 400 SYSKIT E |
2721374 IBS S7 400 SYSKIT |
2740067 IBS S7 400 ETH SYSKIT |
2740070 IBS S7 400 ETH SYSKIT E |
2751373 IBS S5 DSC SYSKIT |
2751386 IBS S5 DSC SYSKIT E |
额定条件下的最大功耗 | 0.45 W |
电源 |
电源电压 | 5 V DC |
电源电压范围 | 4.5 V DC ... 5.5 V DC |
典型电流耗量 | 典型值 90 mA |
环境条件 |
环境温度(运行) | -40 °C ... 85 °C |
存储器是许多存储单元的集合,按单元号顺序排列。每个单元由若干二进制位构成,以表示存储单元中存放的数值,这种结构和数组的结构非常相似,故在VHDL语言中,通常由数组描述存储器 。
存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。
主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息,统称访问存储器。主存中汇集存储单元的载体称为存储体,存储体中每个单元能够存放一串二进制码表示的信息,该信息的总位数称为一个存储单元的字长。存储单元的地址与存储在其中的信息是一一对应的,单元地址只有一个,固定不变,而存储在其中的信息是可以更换的。
指示每个单元的二进制编码称为地址码。寻找某个单元时,先要给出它的地址码。暂存这个地址码的寄存器叫存储器地址寄存器(MAR)。为可存放从主存的存储单元内取出的信息或准备存入某存储单元的信息,还要设置一个存储器数据寄存器(MDR)。
菲尼克斯存储器2729389 IBS MC FLASH 2MB