可牵张拉伸微电极阵列芯片

可牵张拉伸微电极阵列芯片

美国 2D/3D可牵张拉伸微电极阵列刺激与记录系统

机械力刺激

电刺激记录

高分辨率成像三合一

美国bm厂家的3D微电极阵列将推进基于类器官的神经和神经退行性疾病模型

3D 贴合微电极阵列，用于记录生理上完整的脑类器官的电信号。 BMSEED 的新技术将使研究人员能够准确评估这些结构的健康状况和功能，以推进众多领域的药物测试和组织工程。
大脑类器官使用人体细胞来复制大脑的 3 维结构。 与动物模型和 2D 细胞培养物相比，它们可用作在更接近人体的环境中研究神经和神经退行性脑疾病的有效模型。 然而，它们的功效已被用于记录大脑类器官电信号的方法的限制所扼杀。

牵张、多电极阵列刺激记录电生理采集分析、高分辨率成像三位一体系统

该细胞组织可拉伸微电极阵列刺激与成像记录系统是研究人员以机械方式拉伸细胞/组织，对其进行光学成像以及单独/同时记录/刺激电生理活动的完整解决方案。

技术特点概述：

2×60通道

★双轴，单轴
★自定义应变场
★一种快速冲动拉伸或周期性拉伸
★高达50％的应变
★应变速率高达80 / s
★任何拉伸图案
★高重复性

-细胞牵张刺激前后或刺激期间，多电极刺激、阻抗定量测量以及记录电生理活动数据采集记录

模型可用于不同的应用：神经退行性疾病，神经创伤，组织工程，药物筛选