沈阳科晶 1700℃真空高温管式炉采用ISOOP级硅铝棒为加热元件，高温度可达到1700P,可广泛地用于真空或惰性 气体保护状态下材料的烧结和退火。

沈阳科晶 1700℃真空管式炉采用30段程控PID控温仪，高温度可达到1700P,可广泛地用于真空或惰性气体保护状态下 材料的烧结和退火。

沈阳科晶 1700℃高温真空气氛管式炉采用1700P级硅铝棒为加热元件，高温度可达到170013,可广泛地用于真空或惰性 气体保护状态下材料的烧结和退火。

沈阳科晶1600℃三温区高温真空管式炉主要用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验或小批量生产，针对电子陶瓷的 预烧、烧结、緩膜、高温热解低温沉积（CVD）等工艺...

沈阳科晶1600℃双温区高温真空管式炉每个加热区域长300mm,由30段智能温度调节仪进行控温，采用硅铝棒加热元件 温度可达1600P,采用硅碳棒加热元件温度可...

沈阳科晶1600℃真空高温管式炉加热元件采用1750P级硅铝棒，广泛用于真空或惰性气体保护状态下，新材料样品的烧 结或退火。

沈阳科晶1600℃真空高温管式炉加热元件采用1700P级硅铝棒，广泛用于真空或惰性气体保护状态下，新材料样品的烧结 或退火。

沈阳科晶1500℃三温区开启式管式炉是高温管式炉，高温度可达1500^3,三个温区分别用三个独立的温控系统控 制，每个温区都可以设置30段升降温程序，并设有过热...

沈阳科晶 1500℃单温区开启式管式炉高温度可达1500=C,可设置30段升降温程序，并设有过热和断偶保护功能，控温 精度高达=11,特别适合于在气氛保护或真空...

沈阳科晶1500℃高温真空管式炉是小型高温管式炉，采用高纯氧化铝刚玉炉管和硅碳棒加热元件，设有两个真密封法 兰，控制系统采用高精度可控硅移相触发控制，其控温精度...

沈阳科晶1400℃三温区真空气氛管式炉以硅碳棒为加热元件，采用S型单钳铐热电偶测温和708P温控仪自动控温。 本机设有真空装置，可在多种气氛下工作，主要用于电子...

沈阳科晶1400℃双温区真空气氛管式炉以硅碳棒为加热元件，采用S型单钳铐热电偶测温和51SP温控仪自动控温。 本机设有真空装置，可在多种气氛下工作，主要用于电子...

沈阳科晶1400℃小型管式炉GSL-1400X是小型高温管式炉，采用高纯氧化铝刚玉炉管和硅碳棒加热元件，设有两个真密封法兰，控制 系统采用高精度可控硅移相触发控...

沈阳科晶1200℃三温区开启式管式炉每个温区分别由独立的温控系统控制，具有控温精度高，保温效果好，温度范围 大，温度均匀性高，温区多等特点。本机可通气氛抽真空，...

沈阳科晶1200℃开启式双温区管式炉高温度可达到1200P,并可通过调节两个独立的控温程序，使炉管内温度场形成 —梯度。本机可用CVD方法来生长纳米材料和制作各...

沈阳科晶1200℃开启式管式炉是一款单温区管式炉，炉管直径中5",长1400mm ,高温度可达到1200°C。本机可在各 种气氛保护下对样品进行热处理...

沈阳科晶1200℃单温区开启式真空管式炉是专为高等院校、科研院所的实燈室及工矿企业，在可控多种气氛及真空状态 下，对金属、非金属及其它化合物进行烧结、信化、分析...

沈阳科晶4“真空立式淬火炉OTF-1200X-4-VTQ是一款立式可开启真空管式淬火炉，配有一个密封的液体容器用于样品淬火，样品可 从高温度1200=C环境到冰...

沈阳科晶1200℃七温区独立控制管式炉采用独立的温控装置，可离开炉体进行温控操作，通过调节各个温区 的温度，可以在加热区内形成四段温度梯度，或形成较长的恒温区域...

沈阳科晶1200℃开启式立式炉是可垂直开启式管式气氛炉,能够实现在真空或气氛保护条件下对样品快速升降 温。本机可垂直安装在可移动的支架上，方便炉管的取放。