哈默纳科电机

哈默纳科电机CSG-32-160-GH-F0KAB

光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能中“背面EBR”装置为边缘光刻胶的去除装置。

软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行

真空吸盘可绕Z轴旋转，喷嘴可沿X、Y、Z移动，围绕Z旋转。喷嘴沿硅片径向分滴光刻胶，这样光刻胶就可以均匀喷涂在硅片表面上。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。“背面EBR”装置为边缘光刻胶的去除装置。

哈默纳科电机CSG-32-160-GH-F0KAB光刻胶最基本的组成是有机溶剂中的一种聚合物溶液。光刻胶的物理特性包括分辨率、对比度、对敏感度、对粘滞性、粘附性、抗蚀性、表面张力、存储与传送特性、玷污和颗粒控制等。光刻胶主要有两个作用：将掩膜版上的图形转移到光刻胶上，在后续工艺中保护下面的材料。光刻胶适合于旋转涂胶的，硅片会持续旋转涂胶直到硅片表面形了成一层薄膜。光刻胶涂覆方法的四个基本步骤分别为滴胶、旋转铺开、旋转甩掉多余胶、溶剂挥发。

       硅片上光刻胶涂胶的厚度和均匀性是非常关键的质量参数。光刻胶涂覆过程中主要技术参数为：滴胶量，约1~3CC；成膜厚度约1微米左右，厚度变化20-50?。硅片吸附在真空吸盘上，