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P+F倍加福磁场传感器20FR1-6B技术参数

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具体成交价以合同协议为准
  • 型号
  • 品牌 P+F/德国倍加福
  • 厂商性质 经销商
  • 所在地 上海市
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更新时间:2023-12-18 18:18:21浏览次数:554

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产品简介

应用领域 医疗卫生,化工,生物产业,石油,电子/电池
P+F倍加福磁场传感器20FR1-6B技术参数
磁场传感器 20FR1-6B
电磁驱动型簧片开关
气封触点
重型铝外壳
通用规格
开关功能 常开 (NO)
输出类型 簧片触点
额定工作距离 61 mm
安装 非齐平
机械寿命 1 x 107 个开关周期
额定值
工作电压 250 V DC,最大 1.0 A,15 W
迟滞 15,2 mm
释放点 ≤ max. 76 mm

详细介绍

P+F倍加福磁场传感器20FR1-6B技术参数

倍加福磁场传感器4.png

磁场传感器 20FR1-6B

电磁驱动型簧片开关

气封触点

重型铝外壳

通用规格

开关功能 常开 (NO) 

输出类型 簧片触点 

额定工作距离 61 mm 

安装 非齐平 

机械寿命 1 x 107 个开关周期 

额定值

工作电压 250 V DC,最大 1.0 A,15 W 

迟滞 15,2 mm 

释放点 ≤ max. 76 mm 

环境条件

环境温度 -25 ... 85 °C (-13 ... 185 °F) 

机械规格

连接类型 电缆 PVC , 1,83 m 

线芯横截面积 16 AWG 

外壳材料 铝 

感应面 铝 

外壳直径  

防护等级 IP68 

材料  

 激活目标 21FR1-B 

分类介绍

编辑 语音

薄膜磁致电阻传感器

铁磁性物质在磁化过程中,它的电阻值沿磁化方向将增加,并达到饱和的现象称 为磁阻效应。薄膜磁阻元件是利用薄膜工艺和微细加工技术,将NiPe。NiCo合金用真空蒸镇或溯射工艺沉积到硅片或铁氧体基片上,通过微细加工技术制成 一定形状的磁咀图形,形成三端式、四端式以及多端式器件。BMber结构桥式电路磁阻元件具有灵敏度高、工作频率特性好、温度稳定性好、结构简单、体积小 等特点。可制成高密度磁咀磁头、磁性编码器、磁阻位移传感器、磁阻电流传感器等。

磁阻敏感器

物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钻、镍及其合金等强磁性金属,当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时,电阻几乎不随外加磁场变化;当外加磁场偏离金属的内磁化方向时,此类金属的电阻值将减小,这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。

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