日本nittan高导热AIN（氮化铝）NPL-3

日本nittan高导热AIN（氮化铝）NPL-3

它具有与硅相匹配的优异散热和膨胀率，由于其*的成分和制造方法而具有精细的晶体结构
，并被具有优异强度和韧性的材料、半导体制造设备和其他周边零件快速加热。快速冷却和散热。-由于气孔极少，因此可实现优异的搭接表面和高表面精度。

氮化铝 NPL-3 的特点

1. 高导热系数 导热系数
2.170-180W /m·k 2. 高强度抗弯强度 400MPa
3. 高硬度 Hardness HV1000, HRA89
4. 低热膨胀 热膨胀系数 5.0 × 10 -6 / ℃ (Silicon: 4.2 × 10 ) -6 /℃)

用途

键合工具
散热
片 散热片
半导体基板
虚拟晶圆等

实际最大尺寸：500L x 65 x 30，φ300 x 30

日本nittan高导热AIN（氮化铝）NPL-3

NPL-2, 3 的特点