AP20T03GH 富鼎 30V TO-252 MOS

深圳市三佛科技有限公司 供应 AP20T03GH 富鼎 30V  TO-252 MOS，原装，库存现货热销

 AP20T03GH 参数：：30V 12.5A  TO-252 MOS/场效应管 
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):12.5
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):12.5
输入电容Ciss(PF):270 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.
上升时间Tr(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):10 typ.
下降时间Tf(ns):3 typ.
温度(℃): -55 ~150

 HN20N03 可以替代  AP20T03GH

 HN20N03 参数：30V 20A SOT-89 N沟道 MOS/场效应管 

品牌：HN
型号：HN20N03
VDS: 30V
IDS:  20A
封装：SOT-89
沟道：N沟道
HN20N03原装现货，HN20N03优势热销。

售后：我司可以免费提供HN20N03样品。

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HN20N03为低压MOS:30V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN20N03实际电流可以达到20A，可以满足LED电源，充电器，快充，旅充，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。
HN20N03产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品

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