BEHLKE贝克多功能高压开关

Behlke 产品组C2 - 具有可变导通时间和高di / dt的MOSFET开关
1）HTS 61-40，具有高di / dt的MOSFET开关。可变导通时间从300 ns到无限。6 kVDC，400 A pk。上升时间<10 ns @Ip（大值）

2）HTS 101-20，MOSFET开关具有高di / dt。可变导通时间从300 ns到无限。10 kVDC，200 A pk。上升时间<12 ns @Ip（大值）

3）HTS 311-130-B，沟道FET技术中具有高di / dt的MOSFET开关。可变导通时间300 ns - ∞。31 kVDC，1300 A pk。上升时间<20 ns @Ip（大值）。独立控制单元。  

Behlke 产品组C3 - MOSFET，可变导通时间，低耦合电容

1）HTS 901-10-LC2，低电容MOSFET开关，采用高压瞬态LC2技术。该开关旨在满足非常苛刻的工业要求。隔离电压> 150 kV      （可选高达300 kV）。内置控制单元（可更换）。90 kVDC，100 A.导通电阻<40欧姆。开启上升时间<50 ns。  

2）HTS 901-10-LC2，如上所述，但带有选件SEP-C（独立控制单元）和选件DLC（直接液体冷却）。

3）HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET开关，带选件TH（管状外壳）和选件DLC（直接液体冷却）。100 kVDC，200 A pk。，上升时间<50 ns，大值 功耗30千瓦    

注意：与具有非常有限的dv / dt和di / dt能力的经典盘式晶闸管开关不同，快速的Behlke晶闸管开关模块由大量较小的晶闸管芯片（类型取决于多达1000个单晶闸管）制成，并联和串联连接，使极限dv / dt和di / dt有效地分裂为单晶闸管的非关键值。每个晶闸管都由其高度同步和隔离的栅极驱动器发射。这使得非常短的栅极布线成为可能，并且避免了经典晶闸管开关设计中已知的危险热点。Behlke晶闸管开关可以安全地以高物理可能的di / dt和dv / dt速率以及尽可能高的峰值电流运行，而不会出现任何可测量的预期寿命下降。Behlke晶闸管开关是真正的栅极控制，不会从高压负载电路汲取发射能量。

BEHLKE贝克多功能高压开关