mirionPIPS探测器

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利用光刻技术来确定器件的几何形状，用平面工艺制作PIPPS探测器。专有技术用于精确控制氧化物钝化，离子注入用于形成低反向漏电流和薄入口窗口所需的精确控制结。光刻技术几乎适合于直径为140毫米的任何几何形状。均匀离子注入接触的电阻率可以精确控制，产生极薄的入口窗口(<50 nm)的位置敏感探测器。

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