B+B IF01025 电感器
gneuss DAI-2E2-12A-B10Z-S0-F5-R-W-6P 传感器
buehler AGF-PV-30-F2 过滤器
buehler filter element F2 滤芯
bedia CLS-50 500083 检测传感器
RSG 92691142/269A7301/10/MOG12F
Tippkemper NEX-112-RZ 230V/AC 继电器
IMM ARN50-90-1.0-Z 喷嘴
loval 59336 加热器
GASS BV31040A 滤波电抗器
R+W ES2/300/D/W/EEx 扭矩限制器
alfalaval CB30-34H 热交换器
gneuss DAI-2E2-12A-B10Z-S0-F5-R-W-6P
gneuss DAI-2E2-12A-B10Z-S0-F5-R-W-6P
锗晶体管的一个主要缺点是它容易产生热失控。由于锗的禁带宽度较窄，并且要稳定工作则要求的温度相对硅半导体更严，因此大多数现代的双极性晶体管是由硅制造的。采用硅材料的另一个重要原因是硅在地球上的储量比锗丰富得多（仅次于氧）。
后来，人们也开始使用以砷化镓为代表的化合物来制造半导体晶体管。砷化镓的电子迁移率为硅的5倍，用它制造的晶体管能够达到较高的工作频率。此外，砷化镓热导率较低，有利于高温下进行的加工。化合物晶体管通常可以应用于高速器件。
双极性晶体管能够提供信号放大，它在功率控制、模拟信号处理等领域有所应用。此外，由于基极-发射极偏置电压与温度、电流的关系已知，双极性晶体管还可以被用来测量温度。根据基极-发射极电压与基极-发射极和集电极-发射极电流的对数关系，双极性晶体管也能被用来计算对数或求自然对数的幂指数。
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