Q:283-817-7655
Rockwell 817-E1
Rockwell 817-E2
Rockwell 825-MCM180
Rockwell 825-MCM20
Rockwell 193-NCCM-DNT-CNT
Rockwell 193-NCIO-22A-CNT
Rockwell 193-NCIO-22D-CNT
Rockwell 193-NCIO-43-CNT
Rockwell 193-NCIO-63-CNT
Rockwell 193-NCIOGP-22-CNT
Rockwell 193-NCIOGP-42-CNT
Rockwell 825-CBCT
Rockwell 809S-C1-10A-230
Rockwell 809S-C1-10A-48
Rockwell 813S-V1-500V-230
Rockwell 813S-V1-500V-48
Rockwell 813S-V3-110V
Rockwell 813S-V3-230V
Rockwell 813S-V3-400V
Rockwell 813S-V3-480V
Rockwell 813S-V3-690V
Rockwell 814S-PF3-480V-10A
Rockwell 814S-PF3-690V-10A
Rockwell 814S-W3-480V-10A
Rockwell 817S-PTC-115
Rockwell 817S-PTC-230
Rockwell 817S-PTC-48
Contraves HB731S0 编码器
Contraves HB731S0 编码器
双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。
这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。
双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。
双极性晶体管是电子学历*具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。 [1]
这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。
双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，电子是少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。
双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。
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