Q:283-817-7655
TELEGAER 5048458 J00026A5001
TEMATEC BEI-10139 Incremental Encoder 924-01039-1392
TEMATEC 951531/888-22
TEMATEC TT7050-1013
TEMATEC 951531/888-22
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TEOLLISUUSPA M4-7BA
TER PF0903 0080 0010 GF4C
TER PF0903 0080 0010 GF4C
TESA 7031522 Universalmesstaster GTL22 DC –SPS 24V
TESA 7031522 Universalmesstaster GTL22 DC +/-15V
TESTEM SKM2-3 beträgt
TESTEM SKM2-3 beträgt
thermal-imaging-camera irPOD UVsee TD90
thermal-imaging-camera irPOD UVsee TD100
thermibel F405460-SID350-6-100
thermik L06.145.05.0300/0300
TELEGAER 5048458 J00026A5001 好价销售
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根据不同的设计，引导存储器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器没有内部存储器，并行的非易失性存储器件对大多数应用系统而言是正确的选择。但对一些高速应用，可以使用外部的非易失性串行存储器件来引导微控制器，并允许主代码存储在内部或外部高速SRAM中。
8．EEPROM与闪存
存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器(如EEPROM和闪存)组合了两者的特性。这些器件像RAM一样进行读写，并像ROM一样在断电时保持数据，它们都可电擦除且可编程，但各自有它们优缺点。
从软件角度看，独立的EEPROM和闪存器件是类似的，两者主要差别是EEPROM器件可以逐字节地修改，而闪存器件只支持扇区擦除以及对被擦除单元的字、页或扇区进行编程。对闪存的重新编程还需要使用SRAM，因此它要求更长的时间内有更多的器件在工作，从而需要消耗更多的电池能量。设计工程师也必须确认在修改数据时有足够容量的SRAM可用。
存储器密度是决定选择串行EEPROM或者闪存的另一个因素。市场上可用的独立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，独立闪存器件的容量在32KB或以上。
如果把多个器件级联在一起，可以用串行EEPROM实现高于128KB的容量。很高的擦除/写入耐久性要求促使设计工程师选择EEPROM，因为典型的串行EEPROM可擦除/写入100万次。闪存一般可擦除/写入1万次，只有少数几种器件能达到10万次。
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