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压力传感器
传感器在一般情况下,有效的降低功率损耗。当应力发生变化的时候,电场的变化很小很小,其他的一些压电晶体就会替代石英。酒石酸钾钠,它是具有很大的压电系数和压电灵敏度的,但是,它只可以使用在室内的湿度和温度都比较低的地方。磷酸二氢胺是一种人造晶体,它可以在很高的湿度和很高的温度的环境中使用,大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要,以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变,而且也来自材料本身与应力相关的电阻,这使得其程度因子大于金属数百倍之多。随着自动化技术的进步,在工业设备中,除了液柱式压力计、弹性式压力表外,目前更多的是采用可将压力转换成电信号的压力变送器。原因是受到外力作用后的电荷,当回路有无限大的输入抗阻的时候,才可以得以保存下来。为减小温度变化对芯体电阻值的影响,提高测量精度,传感器都采用温度补偿措施使其零点漂移、灵敏度、线性度、稳定性等技术指标保持较高水平。它是用来测量力以及可以转换成为力的非电物理量,例如:加速度和压力。平时敏感芯体没有外加压力作用,电桥处于平衡状态(称为零位),当传感器受压后芯片电阻发生变化,电桥将失去平衡。若给电桥加一个恒定电流或电压电源,电桥将输出与压力对应的电压信号,这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。电桥检测出电阻值的变化,经过放大后,再经过电压电流的转换,变换成相应的电流信号,该电流信号通过非线性校正环路的补偿,即产生了输入电压成线性对应关系的4~20mA的标准输出信号。
压力传感器
EDS3346-2-0016-000-F1
QR4015S2K3PXFSFIF8385
HNVCBW8NBS160EX50MM8
MS15-087
HPBYB8FF
QR4003SK3P01FSFMF
930ISFSMM
HP-1001-16FP
32*3
1 FF-S
40CT9990
SS2-LW82-16
KK2
40VM9072-PM
USE16FN-3
THT-3R60-12-2
16 FLO-S
6MSC6N-316
GSC-8
WG3D25SR2
SE16-16TFN-3
FECR-1612
161567007
6FSC4N-316
GSC-6
4ECR4-316
JN8E-3PN
HP-1002-16FP
6MSC4N-316
H6620-0010
BE-12
GE06LRCFX
40F9933
HD-H8-63
FMS-361-6FOPC
E16-16FN-3
6MSC6R-316
20 BL-S
BNKAD6JNC7
UT6FN-3
HPBYB6FF
OLUBE 884-35
SYH-12P-04
C12-12FN-3
IR4002S2K3PX4B
SYH-12S-04
9933-05-DQ
4FBT2N-316
PMX4FN-3
495905F4
FCAP-12
FSCR-1612
HPBWB12FFNG
SS2-LW82-6-6
40VM9071-PM
14*2
MV-4-1014
PV-11-005
PSR06LX
8FSC4N-316
3329 00 02
SE12-12TFN-3
16 CLO-S
H8-62
801-10-BLK-RL
3320 04 00 07
781-20
AGL90
4 MKM-SSV.035
HGVS8PBV
3321 04 00 07
HBEV766DTSE10
CVSS-FNS16-3
GAMT-848
8A-LB8L-T-SS
8-4 FQ-SS
YY561120F
SMT 1X0.095-304-CD
C8-8FN-3
Y-50(0-4000psi)
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