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压力传感器

传感器目前应用最为广泛的压电材料之一，就是高压电特性的PZT材料已经被大量应用在了扬声器、超声成像探头、超声换能器、蜂鸣器和超声电机等电子器件中。最早人们利用溶胶-凝胶法制备了PZT薄膜，并在MEMS器件中进行实际应用，如驱动器、换能器传感器。随着薄膜制备技术的提高，开始涌现出多种制备手段，并且也利用多种技术制备了PZT压电薄膜，如磁控溅射技术、脉冲激光沉积技术（PLD）、化学气相沉积（CVD）和金属化合物气相沉积技术等。PZT压电薄膜与非铁电的ZnO材料相比较，最重要的优点就是PZT材料具有铁电性，在一定的外加电场和温度条件下，PZT材料内部电畴发生转动，自发极化方向重新确定，这样使得在多晶材料中原本随机排列的极化轴通过电场的作用取向排列而产生了净压电响应。所以PZT材料的压电性能要高于ZnO材料，是ZnO的两倍以上。在光电子学、微电子学、微机电系统和集成光学等领域，PZT薄膜已经被广泛应用。PZT薄膜材料具有高介电常数、低的声波速度、高的耦合系数，横向压电系数和纵向压电系数在三者之中最高，也被视为三者之中最为有前途的压电薄膜材料，但是PZT薄膜制备过程复杂，与MEMS工艺兼容性较差，制备过程须严格控制各组分的比例，压电特性受到晶向、成分配比、颗粒度等因素影响，重复制备高质量的PZT薄膜存在较大困难。目前工业界最常采用的压电材料仍以AlN为主流。
 

压力传感器
MDF-2-250+E04+M01
TF-M-PT100-M3 L=250
NT67-XP-VA-2XM12/370-2S-KN-KT
GAW-5
EDS348-5-016-Y00
FPD10N-020GDA01501
MDF-5-025+E05+M01
MTW-9-100+E08+P
MDF-3-025+E04
MDW-3-025+E04+M01
MTF-3-100+E04+P
MTW-9-300+E08+M01+P
MTF-9-100+E08+P
MTW-9-100+E08+M01+P
MDF-5-250+E05+M01
MDF-5-400+E05+M01
MTW-9-100+E08+M01+0
MDF-2-250+E04+M01
MDF-5-025+E05+M01
OLFB-10413-001
EK2-G1/2-VA-M3/300
EK2-G1/2-VA-M3/500