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物理传感器

传感器。是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。 传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。 传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺(溶胶-凝胶等)生产。完成适当的预备性操作之后，已成形的元件在高温中进行烧结。厚膜和陶瓷传感器这二种工艺之间有许多共同特性，在某些方面，可以认为厚膜工艺是陶瓷工艺的一种变型。 每种工艺技术都有自己的优点和不足。由于研究、开发和生产所需的资本投入较低，以及传感器参数的高稳定性等原因。

物理传感器

MDH-400+E00-5
FPD10N-020GDA01501
101NN-K3-N4-C1A-3-30
MDF-2-250+E04+M01
MDF-5-025+E05+M01
OLFB-10413-001
EK2-G1/2-VA-M3/300
EK2-G1/2-VA-M3/500
FC-T G1/2-75-01 1000955291175900401
NT 63-K4-MS-M3/1270 100052938 034694 008
NT61-HT-M3/370-2K6 0-370MM 24VDC
MTW-5-100+E05+M01+P
NT63-K-MS-M3-820-SSR
NT 63-KN4-MS-M3/970
MES-2/K
MDS-025+E04 4-20mA DC24V
NT63-K-VA-M3/L=520
GAW-5
101NN-K3-N4-C1A-3-30
EDS348-5-016-Y00
FPD10N-020GDA01501
101NN-K3-N4-C1A-3-30
EDS348-5-016-Y00
FPD10N-020GDA01501
MDF-5-250 1000771031377900106
608326/BWT B08-20
MDF-5-025+E05+M01
MTW-9-100+E08+P
MDF-3-025+E04
MDW-3-025+E04+M01
MTF-3-100+E04+P
MTW-9-300+E08+M01+P
MTF-9-100+E08+P
MTW-9-100+E08+M01+P
MDF-5-250+E05+M01
MTW-9-100+E08+M01+0