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半导体热电特性实验装置的改进方案

阅读:1501          发布时间:2017-12-25

实验项目:
1.研究半导体热敏电阻的温度特性;
2.测量PN 结正向压降随温度变化的基本关系;
3.了解半导体制冷片的工作原理;
4.测量半导体制冷片的制冷系数。
半导体热电特性综合实验仪 型号:FMD3040
指标:
1.半导体制冷片:两片40×40,制冷片串联;
单片额定电压:12V;
额定电流:;
普通高温型:≦100℃;
2.PID 温度控制仪:
测温范围:-15~100℃,
测温精度:±0.1℃,三位半数显;
加热范围:室温~100℃;
制冷范围:-10℃~15℃;
3. 制冷制热电源:电压0~20V,连续可调;输出电流:4A;
电流范围:0~20.00A,测量精度:10mA;
电压范围:0~20.000V,测量精度:1mV;
恒流源:0~1000uA 连续可调;
7. 配PN 结、配半导体热敏电阻;

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