CVD（Chemical Vapor Deposition）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是两种常用的化学气相沉积技术，用于制备薄膜、涂层和纳米材料等。

CVD是一种通过在反应室内将反应物质以气体形式传输并在衬底表面发生化学反应，从而在衬底上形成所需材料的方法。该过程涉及到化学反应、气体输运和表面扩散等多个步骤。在CVD过程中，通过控制反应气体的组成、流速、温度和压力等参数，可以实现对所生长材料的成分、结构和性能的精确控制。

而MOCVD是一种特殊的CVD技术，主要用于生长复杂化合物薄膜，如半导体材料、光电材料等。MOCVD利用金属有机前驱物（通常是金属有机化合物）和载气（如氢气、氮气）在高温条件下反应，使金属有机前驱物分解并释放金属原子，然后这些金属原子与载气中的其他气体反应，最终在衬底表面形成所需薄膜。

CVD，MOCVD专用氢气发生器由超纯水机制取二级水，并储存至水箱备用。氢气发生器缺水时，自动供给至氢气发生器。多台氢气发生器可串联使用，通过串联控制线由一台发生器控制其他发生器，实现产气均匀分配。（以两台设备为例控制图如下）