高精度扩散硅压力变送器DBYG-5000/ST201 返回列表页

高精度扩散硅压力变送器DBYG-5000/ST201产品概述：

扩散硅压力变送器采用进口芯片，经过精心的结构设计，信号处理和组装，并按照国家标准和企业标准，进行测试而生产出来的新一代测量元件。AO910系列扩散硅压力变送器 采用的高精度高稳定传感器，配以ASIS高性能放大电路，经过数千次疲劳冲击，高，低温循环老化及精密的数字温度补偿工艺，再经过不锈钢全封焊(激光焊接)精制而成。

高质量的传感器，严格的校验工艺，及完善的装配工艺确保了AO910系列扩散硅压力变送器的优异品质。

高精度扩散硅压力变送器DBYG-5000/ST201工作原理：

系列扩散硅压力变送器工作原理:利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特定晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)在激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器。

一般应变式传感器输出仅为10mv左右，而扩散硅传感器满量程输出为100mv左右，干扰及噪声等因素影响相对较小，放大电路成本也相应降低，分辨率大大提高。零压力附近无死区。

扩散硅压阻式压力传感器实现了压力受感，压力传递力一电转换由同一元件上实现，无中间转换环节，无压力滞后，无机械位移变形，保证了极小的重复性和迟滞误差，和良好的线性度，无蠕变、稳定、可靠、寿命长。

由于采用了激光调阻，计算机补偿等优良技术和巧妙控制扩散浓度，实现满量程温度漂移(灵敏度温度系数)自补偿。克服了半导体晶片本身温度系数大的缺陷，使变送器的零位和满度温漂达到了较高的水准，拓宽了使用温区。

扩散硅压力传感器，变送器具有低电流，低电压，低功耗的特点，属于本质安全防爆型产品，并已取得了国家安全防爆机构颁发的防爆证书。

产品由于采用了不锈钢材质与特殊防护结构，和放大电路的防雷击、抗干扰、抗过压、过流等一系列保护手段，提高了可靠的密封防腐和抗恶劣工作环境的能力，*适合一般工业现场测量和控制的需要。

使用对象:液体、气体或蒸汽

测量范围

表压: 0~5KPa~3.5MPa ， 密封表压:0~7MPa~100MPa

绝压: 0~20KPa~35MPa ， 负压:-0.1MPa~2MPa

输 出:4~20mADC

电 源:12~36VDC

负载特性:4~20mADC二线制

温度范围:-40℃~+ 85℃

外壳防护:优于IP65

防爆类型:隔爆型dⅡCT6; 本安型iaⅡCT6应外配安全栅

综合精度:精度等级:0.1%、0.2%

稳 定 性:优于±0.25%FS/3年

温度影响:

-10℃~+ 60℃范围内: 变化量小于±0.1%/ 10℃(0.1级)

变化量小于±0.15%/ 10℃(0.2级)

-30℃~ -10℃范围内和60℃~+ 85℃范围内: 变化量小于±0.15%/ 10℃(0.1级)

变化量小于±0.20%/ 10℃(0.2级)

振动影响: 在任何方向上振动频率为20-200Hz时，变化量小于±0.02% BFSL

冲击影响: 任何方向100G冲击11ms后，变化量小于±0.02% BFSL

负载影响: 只要输入变送器的端子电压高于12V，就无负载影响。

位置影响: 安装位置不影响零点