N氮掺杂mxenes-Ti2C/Nb2C/V2C/Ti3C2定制
氮掺杂mxenes
氮化mxene Ti2C-N
氮化mxene Nb2C-n
氮化mxene V2C-N
氮化mxene Ti3C2-N
西安齐岳生物科技有限公司可以提供推出一系列二维纳米材料：Mxene、过渡金属碳化物和氮化物（MXenes）、MAX相陶瓷材料;也提供MXene-氧化石墨烯、二维过渡族金属碳(氮)化物与纳米颗粒复合材料、聚合物插层改性MXene/MAX材料、无机非金属插层MXenes基复合材料、金属氧/硫化合物插层MXenes基复合材料等一系列定制合成产品
N氮掺杂mxenes-Ti2C/Nb2C/V2C/Ti3C2定制
产品描述：
虽然MXene材料理论电容量高，但是其潜在的层间储能空间并没有被*利用，其原因在于二维材料自身具有较大的表面能，片层间的聚集和堆叠难以避免，不利于电解液的传输，严重降低了MXene片层的电化学利用率。另外，MXene不规则的形状与较小片层尺寸，也使MXene之间存在较大的接触电阻，了MXene导电网络的形成。为了克服这一缺点，许多研究工作借鉴制备石墨烯杂化结构的方法，将MXene与聚合物(聚吡咯(PPy)、聚苯胺(PANI)、聚乙烯醇(PVA)、聚丙酰胺(PAM)、海藻酸钠(SA))、碳材料(graphene、CNT)和金属氧化物(Fe2O3、Cu2O、MnO2、TiO2、SnO2、LDHs)复合用于制备电容器的电极材料，但是这将使器件变厚，同时使MXene的导电性得不到发挥，降低了电容器的性能。为了进一步MXene材料的电化学性能，杂原子(氮、硫、磷)掺杂是一条行之的方法。前期对氮掺杂石墨烯的研究表明，石墨烯表面和边缘的吡啶N、吡咯N和石墨化N可以赝电容和导电性。另外，也有文献报道，N原子进入二氧化钛可以缩小在N掺杂TiO2光催化剂的带隙。因此，可以，N掺杂也有望调整MXene的电子结构，使其具有的电化学性能。，关于MXene在N掺杂方向的研究有溶剂热法、等离子处理法、微波辐照气相法和热处理法等。溶剂热法进行N掺杂往往会生成许多小分子副产物；利用等离子法进行N掺杂使MXene部分碳原子被氮原子取代，但这样做会其自身的稳定结构；采用微波辐照气相法进行N掺杂反应周期长、操作繁琐，不利于大规模制备；相比较而言，热处理法在氨气中进行掺杂，无副产物生成，易于控制。现有报道中热处理法制备N掺杂MXene过程中，为了掺氮，采用NH3、H2和Ar的混合气，并在600～1000℃下进行掺氮，H2属于易燃易爆气体，因而实际生产中存在隐患。因此，研究的N掺杂MXene的制备工艺，以及研究其在微型电容器领域的应用具有重要的现实意义。
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