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1. 离子能量和离子电流密度分别控制
2. 典型的工艺压强：1-10 毫托
3. 等离子体密度：大约5×1011/cm2
4. 等离子体和衬底相接触
5. 沉积过程中离子电流的能量低
6. 离子电流(等离子体密度)取决于ICP的功率
7. ESS(静电屏蔽)功能做到真正的感应耦合
产品简介
详细介绍
感应耦合等离子体-化学气相沉积（ICP-CVD）
主要特点
1. 离子能量和离子电流密度分别控制
2. 典型的工艺压强：1-10 毫托
3. 等离子体密度：大约5×1011/cm2
4. 等离子体和衬底相接触
5. 沉积过程中离子电流的能量低
6. 离子电流（等离子体密度）取决于ICP的功率
7. ESS（静电屏蔽）功能做到真正的感应耦合
典型应用:
1. 面向剥离技术的低温沉积
2. 低温沉积超高质量二氧化硅
3. 低温沉积多晶硅
4. ICP是*自动匹配（2个射频自动匹配单元）
牛津仪器的ICP CVD工具
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本月*产品
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| 特征 | Plasmalab System 80Plus | Plasmalab System100 | Plasmalab System133 |
|
| ICP65 | ICPCVD180 | ICPCVD380 |
| 电极尺寸 | 240mm | 240mm | Up to 330mm |
| 进样 | 开放进样 | 真空进样 | 真空进样 |
| 衬底 | 50mm wafers 2英寸晶片 | 6英寸，可以选择多片或小片的载片台 | 8英寸，可以选择多片或小片的载片台 |
| 掺杂剂 | 不行 | 包括PH3，B2H6和GeH4在内的多种掺杂剂 | 包括PH3，B2H6和GeH4在内的多种掺杂剂 |
| 液体源 | 不行 | 不行 | 不行 |
| 质量流量计控制的气体管线 | 可使用8或12根管线 | 可使用8或12根管线 | 可使用8或12根管线 |
| 载片台的温度范围 | 20°C到 400°C | 0°C 到 400°C | 0°C 到400°C |
| 在位等离子体清洗 | 可以 | 可以 | 可以 |
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