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PECVD-等离子体增强化学气相沉积

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更新时间:2015-11-10 05:14:21浏览次数:1495

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产品简介

Key features 主要特点

射频驱动(兆赫兹和/或千赫兹)的顶电极;底(衬底)电极上没有射频偏压
衬底直接置于加热电极上
气体通过顶电极上的喷淋头式进气口进入反应室
工作压强0.5-1.0托
功率密度0.02-0.1Wcm-2

详细介绍

Benefits 优点

  1. 和传统的化学气相沉积相比工艺温度更低
  2. 通过高/低频混合技术可以控制薄膜应力
  3. 具有结束点控制的等离子体干法清洗工艺减少或杜绝了物理/化学清洗反应室的需要
  4. 通过工艺条件来控制化学计量
  5. 提供广泛的材料沉积,包括:氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的沉积,它们广泛应用于光子结构、钝化、硬膜等。
  6. 非晶硅(a-Si:H)
  7. 具有保形台阶覆盖或无空隙良好台阶覆盖的正硅酸乙酯二氧化硅
  8. SiC 碳化硅
  9. 类金刚石膜

牛津仪器的PECVD工具

 

本公司现货产品

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本月*产品

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特征

Plasmalab System80Plus

Plasmalab System800Plus

Plasmalab System100

Plasmalab System133

电极尺寸

240mm

460mm

240mm

330mm

进样方式

开放进样

开放进样

真空进样

真空进样

衬底

见产品手册

见产品手册

8英寸,可以选择多片或小片的载片台

12英寸,可以选择多片或小片的载片台

掺杂剂

不行

不行

包括PH3B2H6GeH4在内的多种掺杂剂

包括PH3B2H6GeH4在内的多种掺杂剂

液体源

不行

不行

可以,正硅酸乙酯

可以,正硅酸乙酯

质量流量计控制的气体管线

可使用812根管线

可使用812根管线

可使用812根管线

可使用812根管线

用于应力控制的射频转换开关

可以

可以

可以

可以

载片台温度范围

20°C 400°C

20°C 400°C

标准的是20°C 400°C,可选zui高到800°C

标准的是20°C 400°C,可选zui高到700°C

在位等离子体清洗

可以

 

可以,结束点可控以获得*清洗时间

可以,结束点可控以获得*清洗时间

 

 

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