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反应离子刻蚀

NRE-4000（M）反应离子刻蚀概述：

NRE-4000是一款独立式RIE系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持大到12”的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10^-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。

该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。

NRE-4000（M）反应离子刻蚀产品特点：

• 铝质腔体或不锈钢腔体
• 不锈钢立柜
• 能够刻蚀硅的化合物(~400Å /min)以及金属
• 典型的硅刻蚀速率，400 Å/min
• 高达12”的阳极氧化铝RF样品台
• 水冷及加热的RF样品台
• 大自偏压
• 淋浴头气流分布
• 极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别
• 涡轮分子泵
• 至多支持8个MFC
• 无绕曲气体管路
• 自动下游压力控制
• 双刻蚀能力支持：RIE以及PE刻蚀（可选）
• 终点监测
• 气动升降顶盖
• 手动上下载片
• 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
• 菜单驱动，4级密码访问保护
• *的安全联锁
• 可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀

NRE-4000（M） Features：

• Aluminum or Stainless Steel Chamber
• Stainless Steel Cabinet
• Capable of etching Si compounds (~400 Å /min)and metals
• Typical Si etch rate, 400 Å/min
• Up to 12“ Anodized RF Platen
• Water Cooled and Heated RF Platen
• Large Self Bias
• Shower Head gas distribution
• Approximay 10^-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10^-7 Torr base pressure
• Turbomolecular Pump
• Up to eight MFCs
• No flexing of gas lines
• Down Stream Pressure Control
• Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）
• End Point Detection
• Pneumatically Lifted Top
• Manual loading/unloading
• PC Controlled with LabVIEW
• Recipe Driven, Password Protected
• Fully Safety Interlocked 
• Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch