13651969369
当前位置：泰州巨纳新能源有限公司>>二维材料>>异质结>> SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼异质结
| 供货周期 | 现货 | 应用领域 | 环保,化工,能源,综合 |
|---|
基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼异质结
石墨烯/h-BN薄膜的性质：
单层h-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm（p掺杂）SiO2/Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 8片装
每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的覆盖率约为98％
薄膜是连续的，有小孔和有机残留物
高结晶质量
石墨烯薄膜预先单层（超过95％），偶尔有少量多层（双层小于5％）
薄层电阻：430-800Ω/平方
石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通过CVD方法在铜箔上生长，然后转移到SiO2/Si晶片上。
硅/二氧化硅晶圆的特性：
氧化层厚度：285nm
颜色：紫罗兰色
晶圆厚度：525微米
电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米
型号/掺杂剂：P /硼
方向：<100>
前表面：抛光
背面：蚀刻
请输入账号
请输入密码
请输验证码
以上信息由企业自行提供，信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责，化工仪器网对此不承担任何保证责任。
温馨提示：为规避购买风险，建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。
化工仪器网