FUJI，富士压力传感器 返回列表页

FUJI，富士压力传感器

EPL4PC-R3S 500 7 -40 to 125 20 to 106.7 5.0±0.25 0.789 to 4.211 压力 
EPL6GC-R3S 500 7 -40 to 125 25 to 242 5.0±0.25 0.5 to 4.5 压力
半导体压电阻型
半导体压电阻抗扩散压力传感器是在薄片表面形成半导体变形压力，通过外力（压力）使薄片变形而产生压电阻抗效果，从而使阻抗的变化转换成电信号。 
静电容量型
静电容量型压力传感器，是将玻璃的固定极和硅的可动极相对而形成电容，将通过外力（压力）使可动极变形所产生的静电容量的变化转换成电气信号。 （E8Y的动作原理便是静电容量方式，其他机种采用半导体方式）。
有助于系统整体的小型化。另外，其适用的压力范围大，用途广泛。
压力测量
通过数字微调高精度
的偏移量误差：由于压力传感器在整个压力范围内垂直偏移保持恒定，因此变换器扩散和激光调节修正的变化将产生偏移量误差。
其次是灵敏度误差：产生误差大小与压力成正比。如果设备的灵敏度高于典型值，灵敏度误差将是压力的递增函数。如果灵敏度低于典型值，那么灵敏度误差将是压力的递减函数。该误差的产生原因在于扩散过程的变化。

FUJI传感器，富士压力传感器
三是线性误差：这是个对压力传感器初始误差影响较小的因素，该误差的产生原因在于硅片的物理非线性，但对于带放大器的传感器，还应包括放大器的非线性。线性误差曲线可以是凹形曲线，也可以是凸形曲线称重传感器。
zui后是滞后误差：在大多数情形中，压力传感器的滞后误差*可以忽略不计，因为硅片具有很高的机械刚度。般只需在压力变化很大的情形中考虑滞后误差。
可支持大范围的压力测量，满刻度100kPa - 300kPa
富士电机的压力传感器将压敏电阻、调节电路、EMC保护集成到同芯片中，
传感器芯片具备过电压保护电路、电磁波遮蔽电路、浪涌保护电路，尤其是浪涌，满足标准ISO7637-level4
具备Vcc、Vout、GND配线断开时的自诊断检测功能
通过EPROM的冗余性确保高性
EPL4PC-R3S 500 7 -40 to 125 20 to 106.7 5.0±0.25 0.789 to 4.211 压力 
EPL6GC-R3S 500 7 -40 to 125 25 to 242 5.0±0.25 0.5 to 4.5 压力
半导体压电阻型
半导体压电阻抗扩散压力传感器是在薄片表面形成半导体变形压力，通过外力（压力）使薄片变形而产生压电阻抗效果，从而使阻抗的变化转换成电信号。 
静电容量型
静电容量型压力传感器，是将玻璃的固定极和硅的可动极相对而形成电容，将通过外力（压力）使可动极变形所产生的静电容量的变化转换成电气信号。 （E8Y的动作原理便是静电容量方式，其他机种采用半导体方式）。
有助于系统整体的小型化。另外，其适用的压力范围大，用途广泛。
压力测量
通过数字微调高精度
的偏移量误差：由于压力传感器在整个压力范围内垂直偏移保持恒定，因此变换器扩散和激光调节修正的变化将产生偏移量误差。
其次是灵敏度误差：产生误差大小与压力成正比。如果设备的灵敏度高于典型值，灵敏度误差将是压力的递增函数。如果灵敏度低于典型值，那么灵敏度误差将是压力的递减函数。该误差的产生原因在于扩散过程的变化。
三是线性误差：这是个对压力传感器初始误差影响较小的因素，该误差的产生原因在于硅片的物理非线性，但对于带放大器的传感器，还应包括放大器的非线性。线性误差曲线可以是凹形曲线，也可以是凸形曲线称重传感器。
zui后是滞后误差：在大多数情形中，压力传感器的滞后误差*可以忽略不计，因为硅片具有很高的机械刚度。般只需在压力变化很大的情形中考虑滞后误差。
可支持大范围的压力测量，满刻度100kPa - 300kPa

 FUJI，富士压力传感器