双电四探针电阻率详情介绍 返回列表页

双电四探针电阻率详情介绍

适用范围

1.覆盖膜;导电高分子膜，高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试

2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻  半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，

3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率  导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，

4.抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等，

双电四探针电阻率详情介绍

功能描述Description：

1. 四探针组合双电测量方法

2. 液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.

3. 集成电路系统、恒流输出.

4. 选配：PC软件进行数据管理和处理.

5. 提供中文或英文两种语言操作界面选择

参照标准：

1.硅片电阻率测量的标准（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

双电组合测试方法：

利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，适用于斜置式四探针对于微区的测试。

工作原理和计算公式

1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：

直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：

当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：